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1. (WO2009116347) ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE DANS LEQUEL UNE COUCHE GERME FORMANT BARRIÈRE EST FORMÉE SUR UNE BASE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116347    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/052917
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 19.02.2009
CIB :
H01L 21/3205 (2006.01), C23C 14/14 (2006.01), C25D 7/12 (2006.01), H01L 21/285 (2006.01), H01L 21/288 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01)
Déposants : NIPPON MINING & METALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo, 1050001 (JP) (Tous Sauf US).
SEKIGUCHI, Junnosuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
IMORI, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : SEKIGUCHI, Junnosuke; (JP).
IMORI, Toru; (JP)
Mandataire : SAKAI, Masami; Akasaka Office Heights, 13-5, Akasaka 4-chome, Minato-ku, Tokyo 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-070856 19.03.2008 JP
Titre (EN) ELECTRONIC MEMBER WHEREIN BARRIER-SEED LAYER IS FORMED ON BASE
(FR) ÉLÉMENT ÉLECTRONIQUE DANS LEQUEL UNE COUCHE GERME FORMANT BARRIÈRE EST FORMÉE SUR UNE BASE
(JA) 基材上にバリア兼シード層が形成された電子部材
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a technique for forming a ULSI fine copper wiring by a simpler process. Specifically disclosed is an electronic member wherein an alloy thin film of tungsten and a noble metal, which is used as a barrier-seed layer for a ULSI fine copper wiring, is formed on a base. The electronic member is characterized in that the alloy thin film has a composition containing not less than 50 atom% of tungsten and not less than 5 atom% but not more than 50 atom% of the noble metal. The noble metal is preferably composed of one or more metals selected from ruthenium, rhodium and iridium.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à former un câblage mince en cuivre ULSI par un procédé simple. En particulier, l'invention concerne un élément électronique dans lequel un film mince en alliage constitué de tungstène et d'un métal noble est formé sur une base, ledit film étant utilisé comme une couche germe formant barrière destinée à un câblage mince en cuivre ULSI. L'élément électronique selon l'invention est caractérisé en ce que le film mince en alliage présente une composition contenant (en pourcentages atomiques) au moins 50 % de tungstène, et entre 5 et 50 % de métal noble. Le métal noble est de préférence constitué d'un ou de plusieurs métaux sélectionnés parmi: le ruthénium, le rhodium et l'iridium.
(JA) 本発明は、より簡易な方法によりULSI微細銅配線を形成する技術を提供することを目的とする。  基材上に、ULSI微細銅配線のバリア兼シード層として使用するタングステンと貴金属との合金薄膜が形成された電子部材であって、該合金薄膜がタングステンを50原子%以上、貴金属を5原子%以上50原子%以下とする組成である電子部材。前記貴金属としては、ルテニウム、ロジウム、イリジウムから選ばれる1種または2種以上の金属が好ましい。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)