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1. (WO2009116140) ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR OPTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/116140    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055002
Date de publication : 24.09.2009 Date de dépôt international : 18.03.2008
CIB :
H01S 5/12 (2006.01), H01S 5/026 (2006.01)
Déposants : FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa, 2118588 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAMOTO, Tsuyoshi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MATSUDA, Manabu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAMOTO, Tsuyoshi; (JP).
MATSUDA, Manabu; (JP)
Mandataire : SANADA, Tamotsu; Kichijoji-Mark Bldg. 5th Floor, 10-31, Kichijoji-honcho, 1-chome, Musashino-shi, Tokyo 1800004 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) OPTICAL SEMICONDUCTOR ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR OPTIQUE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 光半導体素子及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An optical semiconductor element includes an active region (1) provided with an active layer (3) and a diffraction grating (4) having a λ/4 phase shift (4A); a passive waveguide region (2) provided on an output end surface (7) side and a rear end surface (8) side with the active region (1) in between and provided with a passive waveguide (5) and a diffraction grating (6); and an anti-reflection coating (10) provided on the output end surface (7). The length of the passive waveguide region (2A) on the output end surface (7) side is made shorter than that of the passive waveguide region (2B) on the rear end surface (8) side.
(FR)L'invention concerne un élément semiconducteur optique qui comprend une région active (1) dotée d'une couche active (3) et d'un réseau de diffraction (4) dont le décalage de phase est de λ/4 (4A) ; une région de guide d'ondes passif (2) disposée sur un côté surface d'extrémité de sortie (7) et sur un côté surface d'extrémité arrière (8), la région active (1) étant située entre les deux surfaces et étant dotée d'un guide d'ondes passif (5) et d'un réseau de diffraction (6) ; et un revêtement antireflet (10) disposé sur la surface d'extrémité de sortie (7). La longueur de la région de guide d'ondes passif (2A) du côté surface d'extrémité de sortie (7) est rendue plus courte que celle de la région de guide d'ondes passif (2B) du côté surface d'extrémité arrière (8).
(JA) 光半導体素子を、活性層(3)と、λ/4位相シフト(4A)を有する回折格子(4)とを備える活性領域(1)と、活性領域(1)を挟んで出射端面(7)側及び後端面(8)側に設けられ、受動導波路(5)と、回折格子(6)とを備える受動導波路領域(2)と、出射端面(7)に施された無反射コート(10)とを備えるものとし、出射端面(7)側の受動導波路領域(2A)を、後端面(8)側の受動導波路領域(2B)の長さよりも短くする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)