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1. WO2009113497 - PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR À BASE D'UN NITRURE DU GROUPE III, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À PARTIR D'UN SEMI-CONDUCTEUR À BASE D'UN NITRURE DU GROUPE III, DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT CONTENANT UN SEMI-CONDUCTEUR À BASE D'UN NITRURE DU GROUPE III, ET LAMPE

Lien permanent
Numéro de publication WO/2009/113497
Date de publication 17.09.2009
N° de la demande internationale PCT/JP2009/054436
Date du dépôt international 09.03.2009
CIB
C23C 14/06 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
06caractérisé par le matériau de revêtement
H01L 21/203 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
203en utilisant un dépôt physique, p.ex. dépôt sous vide, pulvérisation
H01L 33/06 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
04ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
06au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/32 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
02caractérisés par les corps semi-conducteurs
26Matériaux de la région électroluminescente
30contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
32contenant de l'azote
H01L 33/42 2010.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
33Dispositifs à semi-conducteurs ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Détails
36caractérisés par les électrodes
40Matériaux
42Matériaux transparents
CPC
C23C 14/0617
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
0617AIII BV compounds, where A is Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
H01L 21/0237
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
H01L 21/02458
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02439Materials
02455Group 13/15 materials
02458Nitrides
H01L 21/0254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02538Group 13/15 materials
0254Nitrides
H01L 21/02576
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
02573Conductivity type
02576N-type
H01L 21/02631
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
Déposants
  • 昭和電工株式会社 SHOWA DENKO K.K. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 横山 泰典 YOKOYAMA, Yasunori [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 三木 久幸 MIKI, Hisayuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 横山 泰典 YOKOYAMA, Yasunori
  • 三木 久幸 MIKI, Hisayuki
Mandataires
  • 志賀 正武 SHIGA, Masatake
Données relatives à la priorité
2008-06259712.03.2008JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, AND LAMP
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE COUCHE DE SEMI-CONDUCTEUR À BASE D'UN NITRURE DU GROUPE III, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT À PARTIR D'UN SEMI-CONDUCTEUR À BASE D'UN NITRURE DU GROUPE III, DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT CONTENANT UN SEMI-CONDUCTEUR À BASE D'UN NITRURE DU GROUPE III, ET LAMPE
(JA) ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
Abrégé
(EN)
Disclosed is a method for producing a group III nitride semiconductor layer, which comprises a sputtering step wherein a substrate and a target containing a group III element are arranged in a chamber, while introducing a gas for plasma formation into the chamber, and a group III nitride semiconductor layer in which Si is added as a dopant is formed on the substrate by a reactive sputtering method. In this method, Si hydride is added in the gas for plasma formation.
(FR)
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche de semi-conducteur à base d'un nitrure du groupe III. Le procédé comprend une étape de pulvérisation lors de laquelle un substrat et une cible contenant un élément du groupe III sont placés dans une chambre, alors qu'un gaz pour la formation de plasma est introduit dans la chambre et qu'une couche de semi-conducteur à base d'un nitrure du groupe III, dans laquelle Si est ajouté en tant que dopant, est formée sur le substrat par un procédé de pulvérisation réactive. Selon ce procédé, de l'hydrure de Si est ajouté dans le gaz pour la formation du plasma.
(JA)
　本発明のＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法は、チャンバ内に基板及びＩＩＩ族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてＳｉが添加されたＩＩＩ族窒化物半導体層を製造するスパッタ工程を有し、前記プラズマ形成用のガス中に、Ｓｉ水素化物を添加させる。
Également publié en tant que
JP2009215628
US20110163350
US20110284919
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international
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