(EN) Disclosed is a method for producing a group III nitride semiconductor layer, which comprises a sputtering step wherein a substrate and a target containing a group III element are arranged in a chamber, while introducing a gas for plasma formation into the chamber, and a group III nitride semiconductor layer in which Si is added as a dopant is formed on the substrate by a reactive sputtering method. In this method, Si hydride is added in the gas for plasma formation.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche de semi-conducteur à base d'un nitrure du groupe III. Le procédé comprend une étape de pulvérisation lors de laquelle un substrat et une cible contenant un élément du groupe III sont placés dans une chambre, alors qu'un gaz pour la formation de plasma est introduit dans la chambre et qu'une couche de semi-conducteur à base d'un nitrure du groupe III, dans laquelle Si est ajouté en tant que dopant, est formée sur le substrat par un procédé de pulvérisation réactive. Selon ce procédé, de l'hydrure de Si est ajouté dans le gaz pour la formation du plasma.
(JA) 本発明のIII族窒化物半導体層の製造方法は、チャンバ内に基板及びIII族元素を含有するターゲットを配置すると共に、プラズマ形成用のガスを前記チャンバ内に導入し、反応性スパッタ法によって前記基板上に、ドーパントとしてSiが添加されたIII族窒化物半導体層を製造するスパッタ工程を有し、前記プラズマ形成用のガス中に、Si水素化物を添加させる。