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1. (WO2009113450) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE, MATÉRIAU EN COUCHE ACTIVE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/113450    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/054246
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 06.03.2009
CIB :
H01L 51/42 (2006.01)
Déposants : TORAY INDUSTRIES, INC. [JP/JP]; 1-1, Nihonbashi-Muromachi 2-chome, Chuo-ku, Tokyo, 1038666 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAMOTO, Shuhei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KITAZAWA, Daisuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TSUKAMOTO, Jun [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMAMOTO, Shuhei; (JP).
KITAZAWA, Daisuke; (JP).
TSUKAMOTO, Jun; (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-062250 12.03.2008 JP
Titre (EN) PHOTOVOLTAIC DEVICE, ACTIVE LAYER MATERIAL, AND MANUFACTURING METHOD FOR PHOTOVOLTAIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE, MATÉRIAU EN COUCHE ACTIVE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU DISPOSITIF PHOTOVOLTAÏQUE
(JA) 光起電力素子、活性層材料および光起電力素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is a photovoltaic device that improves the photoelectric conversion efficiency of various organic semiconductors. The photovoltaic device comprises: a first electrode and a second electrode, one or both of which are light-permeable; and an active layer, comprising an electron-donating organic semiconductor (A) and/or an electron-accepting organic semiconductor (B), sandwiched between the first electrode and the second electrode. The first electrode and the second electrode include a fluorous compound (C) therebetween, said fluorous compound existing locally either in proximity to the surface boundary between the first electrode and the active layer, or in proximity to the surface boundary of the second electrode and the active layer.
(FR)L'invention concerne un dispositif photovoltaïque qui améliore l'efficacité de la conversion photoélectrique de nombreux semi-conducteurs organiques. Le dispositif photovoltaïque comprend: une première électrode et une seconde électrode, l'une ou les deux étant perméables à la lumière; et une couche active comprenant un semi-conducteur (A) organique donneur d'électrons et/ou un semi-conducteur (B) organique receveur d'électrons, pris en sandwich entre la première électrode et la seconde électrode. La première et la seconde électrode contiennent un composé fluoritique (C) placé entre elles, ledit composé fluoritique existant localement à proximité de la limite de surface de la première électrode et de la couche active, ou à proximité de la limite de surface de la seconde électrode et de la couche active.
(JA) 種々の有機半導体に対して光電変換効率を向上した光起電力素子を提供するために、少なくともいずれか一方が光透過性を有する第1電極および第2電極と、前記第1電極と第2電極に挟持された少なくとも(A)電子供与性有機半導体および(B)電子受容性有機半導体を含む活性層を有する光起電力素子であって、前記第1電極と第2電極の間に(C)フルオラス化合物を含み、前記(C)フルオラス化合物が、前記第1電極と前記活性層との界面近傍、または、前記第2電極と前記活性層との界面近傍に局在している光起電力素子とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)