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1. (WO2009112544) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES MONOCRISTALLINES À STRUCTURE DE CONTACT ARRIÈRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2009/112544 N° de la demande internationale : PCT/EP2009/052908
Date de publication : 17.09.2009 Date de dépôt international : 12.03.2009
CIB :
B23K 26/40 (2006.01) ,H01L 27/142 (2006.01) ,H01L 31/05 (2006.01) ,H01L 31/18 (2006.01)
Déposants : KROKOSZINSKI, Hans-Joachim[DE/DE]; DE (UsOnly)
ROBERT BOSCH GMBH[DE/DE]; Wernerstrasse 1 70469 Stuttgart, DE (AllExceptUS)
Inventeurs : KROKOSZINSKI, Hans-Joachim; DE
Données relatives à la priorité :
10 2008 014 418.514.03.2008DE
10 2008 021 355.129.04.2008DE
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING MONOCRYSTALLINE SOLAR CELLS WITH A BACK SURFACE CONTACT STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULES SOLAIRES MONOCRISTALLINES À STRUCTURE DE CONTACT ARRIÈRE
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG MONOKRISTALLINER SOLARZELLEN MIT RÜCKSEITIGER KONTAKTSTRUKTUR
Abrégé :
(EN) The invention relates to a method for producing monocrystalline solar cells with a back surface contact structure and a plurality of partial cell diodes that are approximately equal in area and have local pn junctions connected in series to obtain an increased starting voltage. A crack (35) is created between neighbouring partial cell diodes in a strip-shaped region (34) that can be devoid of doping and the partial cell diodes are connected in series by bridges of soldered or bonded metal strips (103). According to the invention, the wafer is integrally bonded on one side to an expansion plate (100) after a known cell processing method. The insulation crack is then created from the side of the wafer lying opposite the expansion plate. The expansion plate is heated with the wafer. An insulating material is introduced into the crack or gap that extends as a result of the expansion to obtain a permanent electrical insulation.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication de cellules solaires monocristallines pourvues d'une structure de contact arrière et d'une pluralité de diodes de cellules partielles à surface approximativement égale, à jonctions p-n locales et présentes dans la tranche composite, lesquelles diodes sont montées en série pour permettre l'obtention d'une tension de sortie accrue. Une fente est formée à travers la tranche entre des diodes de cellules partielles adjacentes dans une zone sous forme de bande pouvant rester sans dopage et un pontage avec des bandelettes métalliques brasées ou collées permet la connexion en série des diodes de cellules partielles. Selon l'invention, la tranche est reliée unilatéralement à une plaque de dilatation par liaison de matière après un traitement de cellule réalisé d'une manière connue en soi. Ensuite, une fente d'isolation est formée dans la face de la tranche opposée à la plaque de dilatation. De plus, la plaque de dilatation est chauffée avec la tranche puis une matière isolante permettant d'obtenir une isolation électrique permanente est introduite dans la fente s'élargissant par dilatation.
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung monokristalliner Solarzellen mit rückseitiger Kontakt Struktur sowie einer im Waferverbund vorliegenden Vielzahl von annähernd flächengleichen Teilzellendioden mit lokalen pn-Übergängen, welche zum Erhalt einer erhöhten Ausgangsspannung in Serie geschaltet werden, wobei zwischen benachbarten Teilzellendioden in einem streifenförmigen Bereich (34), der ohne Dotierung verbleiben kann, ein Riss (35) durch den Wafer hindurch erzeugt wird und durch dessen Überbrückung mit gelöteten oder geklebten Metallbändchen (103) eine Verbindung der Teilzellendioden zur Serienschaltung erfolgt. Erfindungsgemäß wird der Wafer nach in an sich bekannter Weise realisierter Zellprozessierung einseitig Stoff schlüssig mit einer Ausdehnungsplatte (100) verbunden. Es erfolgt die Isolierrissausbildung dann von der der Ausdehnungsplatte gegenüberliegenden Waf erseite. Weiterhin wird die Ausdehnungsplatte mit Wafer erhitzt. In den sich ausdehnungsbedingt vergrößernden Riss oder Spalt wird dann ein Isolierstoff zum Erhalt einer dauerhaften elektrischen Isolation eingebracht.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)