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1. WO2009110428 - MATÉRIAU COMPOSÉ COMPRENANT UNE MATRICE DE SILICONE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION

Numéro de publication WO/2009/110428
Date de publication 11.09.2009
N° de la demande internationale PCT/JP2009/053867
Date du dépôt international 02.03.2009
CIB
C23C 18/16 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
18Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement; Dépôt par contact
16par réduction ou par substitution, p.ex. dépôt sans courant électrique
B82B 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
82NANOTECHNOLOGIE
BNANOSTRUCTURES FORMÉES PAR MANIPULATION D’ATOMES, DE MOLÉCULES OU D’ENSEMBLES LIMITÉS D’ATOMES OU DE MOLÉCULES UN À UN COMME DES UNITÉS INDIVIDUELLES; LEUR FABRICATION OU LEUR TRAITEMENT
1Nanostructures formées par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles
G11B 5/65 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
BENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
62Supports d'enregistrement caractérisés par l'emploi d'un matériau spécifié
64comportant uniquement le matériau magnétique, sans produit de liaison
65caractérisé par sa composition
G11B 5/858 2006.01
GPHYSIQUE
11ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
BENREGISTREMENT DE L'INFORMATION BASÉ SUR UN MOUVEMENT RELATIF ENTRE LE SUPPORT D'ENREGISTREMENT ET LE TRANSDUCTEUR
5Enregistrement par magnétisation ou démagnétisation d'un support d'enregistrement; Reproduction par des moyens magnétiques; Supports d'enregistrement correspondants
84Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication de supports d'enregistrement
858Production d'une couche magnétique par voie électrolytique ou par voie non électrolytique
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
C23C 18/1619
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
16by reduction or substitution, e.g. electroless plating
1601Process or apparatus
1619Apparatus for electroless plating
C23C 18/1879
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
16by reduction or substitution, e.g. electroless plating
18Pretreatment of the material to be coated
1851of surfaces of non-metallic or semiconducting in organic material
1872by chemical pretreatment
1875only one step pretreatment
1879Use of metal, e.g. activation, sensitisation with noble metals
C23C 18/54
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
18Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
54Contact plating, i.e. electroless electrochemical plating
G11B 5/65
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
62Record carriers characterised by the selection of the material
64comprising only the magnetic material without bonding agent
65characterised by its composition
G11B 5/858
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
5Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
84Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
858Producing a magnetic layer by electro-plating or electroless plating
Déposants
  • 独立行政法人科学技術振興機構 JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 八重 真治 YAE, Shinji [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 平野 達也 HIRANO, Tatsuya [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 松田 均 MATSUDA, Hitoshi [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 八重 真治 YAE, Shinji
  • 平野 達也 HIRANO, Tatsuya
  • 松田 均 MATSUDA, Hitoshi
Mandataires
  • 河野 広明 KOUNO, Hiroaki
Données relatives à la priorité
2008-05450605.03.2008JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) COMPOUND MATERIAL COMPRISING SILICONE MATRIX AND METHOD OF PRODUCING THE SAME
(FR) MATÉRIAU COMPOSÉ COMPRENANT UNE MATRICE DE SILICONE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) シリコンを母材とする複合材料及びその製造方法
Abrégé
(EN)
Proposed are a compound material, wherein non-penetrating pores that are formed in a silicone surface layer are filled up with a metal or the like without leaving any voids by using the plating technique, and a method of producing the compound material. A compound material, which has been packed at a high accuracy, or in other words, in which little voids are left, can be obtained by filling up non-penetrating pores that are formed from a silicone surface (100) substantially with a second metal or an alloy (106) of the second metal with the use of the autocatalytic electroless plating technique wherein a first metal located at the bottom of the non-penetrating pores as described above serves as the starting point.
(FR)
L'invention concerne un matériau composé dans lequel des pores non bouchés formés dans une couche de surface de silicone sont remplis d'un métal ou analogue sans laisser de vides à l'aide d'une technique de placage, et un procédé de production dudit matériau composé. Un matériau composé conditionné avec une haute précision ou, autrement dit, présentant peu de vides, peut être obtenu par remplissage des pores non bouchés formés à partir d'une surface de silicone (100) sensiblement avec un second métal ou un alliage (106) du second métal, selon une technique de placage autocatalytique sans courant dans laquelle un premier métal situé dans la partie inférieure des pores non bouchés, tel que décrit ci-dessus, sert de point de départ.
(JA)
 シリコン表面層に形成された非貫通孔内に、めっき法を用いて金属等が空隙を形成することなく充填されている複合材料と、その複合材料の製造方法を提案する。  シリコン100の表面から形成された非貫通孔の底部に位置する第1金属が起点となって、その非貫通孔が、自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的に第2金属又は前記第2金属の合金106により充填されることにより、高精度に充填された、換言すれば、空隙の形成されにくい複合材料が得られる。
Également publié en tant que
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