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1. (WO2009110119) ÉLÉMENT DE JONCTION À EFFET TUNNEL FERROMAGNÉTIQUE ET PROCÉDÉ DE PILOTAGE D'ÉLÉMENT DE JONCTION À EFFET TUNNEL FERROMAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/110119    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/065412
Date de publication : 11.09.2009 Date de dépôt international : 28.08.2008
CIB :
H01L 43/08 (2006.01), G11B 5/39 (2006.01), H01F 10/32 (2006.01), H01L 21/8246 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/10 (2006.01)
Déposants : Fuji Electric Holdings Co., Ltd. [JP/JP]; 1-1, Tanabeshinden, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa, 2100856 (JP) (Tous Sauf US).
ONO, Takuya; (US Seulement)
Inventeurs : ONO, Takuya;
Mandataire : OKUYAMA, Shoichi; 8th Floor, Akasaka NOA Bldg., 2-12, Akasaka 3-chome, Minato-ku, Tokyo, 1070052 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-056176 06.03.2008 JP
Titre (EN) FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT AND DRIVING METHOD OF FERROMAGNETIC TUNNEL JUNCTION ELEMENT
(FR) ÉLÉMENT DE JONCTION À EFFET TUNNEL FERROMAGNÉTIQUE ET PROCÉDÉ DE PILOTAGE D'ÉLÉMENT DE JONCTION À EFFET TUNNEL FERROMAGNÉTIQUE
(JA) 強磁性トンネル接合素子および強磁性トンネル接合素子の駆動方法
Abrégé : front page image
(EN)A tunnel junction element having a ferromagnetic free layer, an insulating film and a ferromagnetic fixed layer for reducing current required for effecting a spin-injection magnetization reversal behavior in the tunnel junction element, wherein the ferromagnetic free layer includes a first and second ferromagnetic layers, between which a nonmagnetic metal layer is provided, the nonmagnetic metal layer being capable of keeping magnetic linkage between the first and second ferromagnetic layers and affecting no influence over crystal growth of the respective first and second ferromagnetic layers, and the first and second ferromagnetic layers are characterized in that the first ferromagnetic layer is disposed so as to come into contact with the insulating layer, and the second ferromagnetic layer is less magnetized than the first ferromagnetic layer.
(FR)L'invention porte sur un élément de jonction à effet de tunnel comprenant une couche ferromagnétique libre, un film isolant et une couche ferromagnétique fixe pour réduire le courant requis pour obtenir un comportement d'inversion d'aimantation par injection de spin dans l'élément de jonction à effet de tunnel. La couche ferromagnétique libre comprend des première et seconde couches ferromagnétiques, entre lesquelles est installée une couche métallique non magnétique apte à maintenir un couplage magnétique entre les première et seconde couches ferromagnétiques et n'ayant aucune influence sur la croissance cristalline des première et seconde couches ferromagnétiques respectives. Les première et seconde couches ferromagnétiques sont caractérisées en ce que la première couche ferromagnétique est agencée de façon à entrer en contact avec la couche isolante. La seconde couche ferromagnétique est moins aimantée que la première couche ferromagnétique.
(JA) トンネル接合素子においてスピン注入磁化反転動作に必要な電流を低減するために、強磁性自由層と絶縁層と強磁性固定層を持つトンネル接合素子において、強磁性自由層が第1および第2の強磁性層を含み、該強磁性層の間に非磁性金属層が設けられ、該非磁性金属層は、第1および第2の強磁性層の間の磁気的結合を保つようにされることができ、また、第1および第2の強磁性層それぞれの結晶成長に影響しないようにされることができ、そして、第1の強磁性層と第2の強磁性層は、第1の強磁性層が前記絶縁層に接するように配置され、第2の強磁性層は第1の強磁性層より小さな磁化を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)