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1. (WO2009108358) PROCÉDÉS DE FABRICATION D’UN ARTICLE NON SUPPORTÉ D’UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR PURE OU DOPÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/108358    N° de la demande internationale :    PCT/US2009/001268
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 27.02.2009
CIB :
H01L 21/208 (2006.01), C30B 15/00 (2006.01), C30B 28/04 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Déposants : CORNING INCORPORATED [US/US]; 1 Riverfront Plaza Corning, NY 14831 (US) (Tous Sauf US).
COOK, Glen, B [US/US]; (US) (US Seulement).
MAZUMDER, Prantik [IN/US]; (US) (US Seulement).
SONI, Kamal, K [US/US]; (US) (US Seulement).
SUMAN, Balram [IN/US]; (US) (US Seulement).
THOMAS, Christopher, S [US/US]; (US) (US Seulement).
VENKATARAMAN, Natesan [IN/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : COOK, Glen, B; (US).
MAZUMDER, Prantik; (US).
SONI, Kamal, K; (US).
SUMAN, Balram; (US).
THOMAS, Christopher, S; (US).
VENKATARAMAN, Natesan; (US)
Mandataire : SCOTT, Steven, J; (US)
Données relatives à la priorité :
61/067,679 29.02.2008 US
Titre (EN) METHODS OF MAKING AN UNSUPPORTED ARTICLE OF PURE OR DOPED SEMICONDUCTING MATERIAL
(FR) PROCÉDÉS DE FABRICATION D’UN ARTICLE NON SUPPORTÉ D’UN MATÉRIAU SEMI-CONDUCTEUR PURE OU DOPÉ
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to methods of making articles of semiconducting material and semiconducting material articles formed thereby, such as articles of semiconducting material that may be useful in making photovoltaic cells.
(FR)L’invention concerne des procédés de fabrication d’articles en matériau semi-conducteur ou d’articles en matériau semi-conducteur ainsi formés, comme des articles en matériau semi-conducteur qui peuvent être utiles dans la fabrication de cellules photovoltaïques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)