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1. (WO2009107627) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À POLARISATION CIRCULAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/107627    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/053348
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 25.02.2009
CIB :
H01L 33/02 (2010.01), H01S 5/323 (2006.01), H01L 33/26 (2010.01)
Déposants : ALPS ELECTRIC CO., LTD. [JP/JP]; 1-7, Yukigaya-otsukamachi, Ota-ku, Tokyo, 1458501 (JP) (Tous Sauf US).
IDE, Yosuke [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
SAITO, Masamichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
NISHIYAMA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
KOBAYASHI, Hidekazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : IDE, Yosuke; (JP).
SAITO, Masamichi; (JP).
NISHIYAMA, Yoshihiro; (JP).
KOBAYASHI, Hidekazu; (JP)
Mandataire : NOZAKI, Teruo; Oak Ikebukuro Building 3F, 1-21-11 Higashi-Ikebukuro, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-046758 27.02.2008 JP
Titre (EN) CIRCULARLY POLARIZED LIGHT-EMITTING DEVICE
(FR) DISPOSITIF ÉMETTEUR DE LUMIÈRE À POLARISATION CIRCULAIRE
(JA) 円偏光発光素子
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a circularly polarized light-emitting device having a higher degree of circular polarization than conventional devices. Specifically disclosed is a circularly polarized light-emitting device wherein a p-type semiconductor layer (3), an i-type semiconductor layer (active layer) (4), an n-type semiconductor layer (5), an i-type semiconductor layer (7), a barrier (MgO) layer (8), a half-metal ferromagnetic layer (13) and a protective layer (11) are sequentially arranged on a p-type semiconductor substrate (2) in this order from the bottom. Consequently, electrons can be injected into the active region of the semiconductor device while maintaining a higher spin polarization ratio than conventional devices, thereby achieving a higher degree of circular polarization than conventional devices.
(FR)L'invention concerne un dispositif émetteur de lumière à polarisation circulaire présentant un degré de polarisation circulaire supérieur à celui des dispositifs classiques. Plus précisément, l'invention concerne un dispositif émetteur de lumière à polarisation circulaire où une couche semiconductrice (3) de type p, une couche semiconductrice de type i (couche active) (4), une couche semiconductrice (5) de type n, une couche semiconductrice (7) de type i, une couche (MgO) (8) formant barrière, une couche ferromagnétique semi-métallique (13) et une couche protectrice (11) sont disposées de façon séquentielle sur un substrat semiconducteur (2) de type p, dans cet ordre en partant du bas. De ce fait, des électrons peuvent être injectés dans la région active du dispositif semiconducteur tout en maintenant un rapport de polarisation de spin supérieur à celui des dispositifs classiques, réalisant ainsi un degré de polarisation circulaire supérieur à celui des dispositifs classiques.
(JA)【課題】 特に、従来に比べて高い円偏光度を得ることが可能な円偏光発光素子を提供することを目的としている。 【解決手段】 p型半導体基板2上に、下からp型半導体層3、i型半導体層(活性層)4、n型半導体層5、i型半導体層7、バリア層(MgO)8、ハーフメタル強磁性層13、保護層11が順に積層されている。これにより、従来に比べて高いスピン偏極率を保持したまま半導体素子の活性領域に電子を注入でき、従来よりも高い円偏光度を得ることが出来る。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)