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1. (WO2009106330) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/106330    N° de la demande internationale :    PCT/EP2009/001382
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 26.02.2009
CIB :
H01L 31/18 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : S.O.I. TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Chemin des Franques, Parc Technologique des Fontaines, F-38190 Bernin (FR) (Tous Sauf US).
DROUIN, Alexis [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
ASPAR, Berhard [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
DESRUMEAUX, Christophe [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
LEDOUX, Olivier [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
FIGUET, Christophe [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : DROUIN, Alexis; (FR).
ASPAR, Berhard; (FR).
DESRUMEAUX, Christophe; (FR).
LEDOUX, Olivier; (FR).
FIGUET, Christophe; (FR)
Mandataire : NEUBECK, Wolfgang; Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhausser LeopoldstraBe 4 80802 Miinchen (DE)
Données relatives à la priorité :
08290176.0 26.02.2008 EP
09290097.6 11.02.2009 EP
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for fabricating a semiconductor substrate comprising the steps of: providing a silicon on insulator type substrate comprising a base, an insulating layer and a first semiconductor layer, doping the first semiconductor layer to thereby obtain a modified first semiconductor layer, and providing a second semiconductor layer with a different dopant concentration than the modified first semiconductor layer over, in particular on, the modified first semiconductor layer. With this method, an improved dopant concentration profile can be achieved through the various layers which makes the substrates in particular suitable for optoelectronic applications.
(FR)L'invention porte sur un procédé de fabrication d’un substrat semi-conducteur. Le procédé consiste à se procurer un substrat de type silicium sur isolant comprenant une base, une couche isolante et une première couche semi-conductrice; doper la première couche semi-conductrice pour obtenir une première couche semi-conductrice modifiée; et disposer une seconde couche semi-conductrice dont la concentration en dopant est différente de celle de la première couche semi-conductrice modifiée par-dessus, en particulier sur la première couche semi-conductrice modifiée. Ce procédé permet d’obtenir un profil amélioré de concentration en dopant grâce aux diverses couches qui rendent les substrats particulièrement appropriés à des applications d'optoélectronique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)