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1. WO2009106177 - PROCÉDÉ DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE SUR UN SUBSTRAT DE SUPPORT

Numéro de publication WO/2009/106177
Date de publication 03.09.2009
N° de la demande internationale PCT/EP2008/066854
Date du dépôt international 05.12.2008
CIB
H01L 21/762 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
70Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun, ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci; Fabrication de dispositifs à circuit intégré ou de parties constitutives spécifiques de ceux-ci
71Fabrication de parties spécifiques de dispositifs définis en H01L21/7089
76Réalisation de régions isolantes entre les composants
762Régions diélectriques
CPC
H01L 21/76254
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
76Making of isolation regions between components
762Dielectric regions ; , e.g. EPIC dielectric isolation, LOCOS; Trench refilling techniques, SOI technology, use of channel stoppers
7624using semiconductor on insulator [SOI] technology
76251using bonding techniques
76254with separation/delamination along an ion implanted layer, e.g. Smart-cut, Unibond
Déposants
  • S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR]/[FR] (AllExceptUS)
  • COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES [FR]/[FR] (AllExceptUS)
  • SOTTA, David (UsOnly)
  • EL FARHANE, Rebha (UsOnly)
  • MAZEN, Frederic (UsOnly)
Inventeurs
  • SOTTA, David
  • EL FARHANE, Rebha
  • MAZEN, Frederic
Mandataires
  • WARCOIN, AHNER, TEXIER, LE FORESTIER, CALLON DE LAMARCK, COLLIN, TETAZ-Cabinet Regimbeau
Données relatives à la priorité
085117625.02.2008FR
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) METHOD OF TRANSFERRING A THIN LAYER ONTO A SUPPORT SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ DE TRANSFERT D'UNE COUCHE MINCE SUR UN SUBSTRAT DE SUPPORT
Abrégé
(EN)
The present invention relates to a method for transferring a layer (12) by the formation of an embhttlement area in a source substrate (10) onto a support substrate (30), comprising the successive steps of: (a) formation of a bonding layer (20) on the source substrate (10), (b) implantation of ions from a first species in the source substrate (10) through the bonding layer (20), so as to form an embrittlement area defining the layer (12) to transfer, (c) placement of the bonding layer (20) and the support substrate (30) in close contact, (d) fracturing of the source substrate (10) along the embrittlement area so as to transfer the layer (12) onto the support substrate (30). Said method comprises, before step (a), the implantation of ions from a second species in the source substrate (10) so as to form said embrittlement area.
(FR)
La présente invention se rapporte à un procédé destiné à transférer une couche (12) par la formation d'une zone de fragilisation dans un substrat source (10) sur un substrat de support (30). Le procédé comprend les étapes successives consistant à : (a) former une couche de liaison (20) sur le substrat source (10); (b) implanter des ions d'une première espèce dans le substrat source (10) à travers la couche de liaison (20), de manière à former une zone de fragilisation qui définit la couche (12) à transférer; (c) placer la couche de liaison (20) et le substrat de support (30) en contact étroit; (d) fracturer le substrat source (10) le long de la zone de fragilisation de manière à transférer la couche (12) sur le substrat de support (30). Ledit procédé comprend, avant l'étape (a), l'étape consistant à implanter des ions d'une deuxième espèce dans le substrat source (10) de manière à former ladite zone de fragilisation.
Également publié en tant que
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