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1. (WO2009105840) PROCÉDÉ POUR AUGMENTER L'EFFICACITÉ DE CONVERSION DE L'ÉNERGIE SOLAIRE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE SA MISE EN OEUVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/105840    N° de la demande internationale :    PCT/AZ2008/000002
Date de publication : 03.09.2009 Date de dépôt international : 27.02.2008
CIB :
H01L 31/0392 (2006.01)
Déposants : INSTITUT FIZIKI NATSIONALNOI AKADEMII NAUK AZERBAIDZHANA [AZ/AZ]; pr. Dzhavida 33 Baku, 1143 (AZ) (Tous Sauf US).
GASHIMOV, Arif Mamed ogli [AZ/AZ]; (AZ) (US Seulement).
BAIRAMOV, Azad Agalar ogli [AZ/AZ]; (AZ) (US Seulement).
MURSAKULOV, Niyazi Nesreddin ogli [AZ/AZ]; (AZ) (US Seulement).
SAFAROF, Nuru Arab ogli [AZ/AZ]; (AZ) (US Seulement)
Inventeurs : GASHIMOV, Arif Mamed ogli; (AZ).
BAIRAMOV, Azad Agalar ogli; (AZ).
MURSAKULOV, Niyazi Nesreddin ogli; (AZ).
SAFAROF, Nuru Arab ogli; (AZ)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR INCREASING CONVERSION EFFICIENCY OF SOLAR ENERGY INTO ELECTRIC POWER AND A DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD
(FR) PROCÉDÉ POUR AUGMENTER L'EFFICACITÉ DE CONVERSION DE L'ÉNERGIE SOLAIRE EN ÉNERGIE ÉLECTRIQUE ET DISPOSITIF DE SA MISE EN OEUVRE
(RU) СПОСОБ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯ СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ В ЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО РЕАЛИЗАЦИЙ
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for increasing conversion efficiency of solar energy into electric power and to a device for carrying out said method. The inventive method involves the conversion of sunlight into electric current in the broadest spectrum range, i.e. in the visible and infrared range, owing to the fact that sunlight is converted into electric current in the broadest spectrum range, i.e. in the visible and infrared range, by means of the hybrid use of a narrow-band gap crystal silicon material (the width of the energy band gap Eg=1.1eV) and a semiconductor broad-band polymer material (Le dossier US2009/37622 ligohydroguinone, oligo-α-naphthol, oligo-β-naphthol or oligo-amino-phenylen) with the width of the energy band gap Eg >2 eV; and that a structure with an antireflection coating applied over a polymer film is used, thereby making it possible to return the light reflected from the surface of the materials to the working volume of a hybrid photovoltaic converter. The method makes it possible to achieve the greatest conversion efficiency of solar energy into electrical energy (performance factor) and to reduce the cost of the output electric power unit. The hybrid photovoltaic converter which comprises a film made of a broad-band semiconductor polymer material anda transparent titanium oxide (TiOx) film is placed on a low-ohmic crystal silicon, and the structure with an antireflection coating is applied over a polymer film.
(FR)L'invention concerne un procédé pour augmenter l'efficacité de conversion de l'énergie solaire en énergie électrique et un dispositif de sa mise en oeuvre. Selon l'invention, la conversion de la lumière solaire en courant électrique s'effectue dans un gamme spectrale plus large, à savoir à la lumière visible et dans l'infrarouge, grâce à ce qui suit : la conversion de la lumière solaire en courant électrique s'effectue dans une gamme spectrale plus large, à savoir à la lumière visible et dans l'infrarouge, grâce à l'utilisation intégrée de silicium cristallin à bande interdite étroite (la largeur de la bande interdite étant de E(g)=1,1eV) et Le dossier US2009/37622 d'un matériau polymère semi-conducteur à bande interdite large (d'oligohydroquinone, oligo-alpha-naphthol, oligo-béta-naphtol ou oligo-amino-phénylène, avec une largeur de la bande interdite E(g)>2 eV); et l'utilisation d'une texture à surface anti-réfléchissante appliquée par-dessus le film polymère, la lumière réfléchie à la surface des matériaux étant renvoyée dans le volume de travail du convertisseur photovoltaïque. Grâce à ce procédé, on obtient une efficacité plus élevée de conversion de l'énergie solaire en énergie électrique et l'on réduit le coût unitaire de l'énergie électrique produite. Le convertisseur photovoltaïque intégré qui comprend un film en matériau polymère semi-conducteur à bande interdite large et un film transparent à base d'oxyde de titane TiO(x) est disposé sur une couche de silicium cristallin de faible résistivité, et une texture à revêtement anti-réfléchissant est appliquée par-dessus le film polymère.
(RU)Способ повышения эффективности преобразования солнечной энергии в электрическую и устройство его реализации заключающийся в том что преобразование солнечного света в электрический ток происходит в более широком диапазоне спектра: в видимом и инфракрасном - за счет: - преобразование солнечного света в электрический ток происходит в более широком диапазоне спектра: в видимом и инфракрасном - за счет гибридного использования узкозонного материала кристаллического кремния (ширина запрещенной зоны Eg =1,1эВ) и полупроводинкового широкозонного полимерного материала (оligоhуdroguinone, oligo-α-naphthol, оligо-β-nарhthоl или оligо-аminо-рhеnуlеn) с шириной запрещенной зоны Eg > 2 эB; - за счет использования текстуры с антиотражающим п поркирытием, нанесенной поверх полимерной пленки, отраженный от поверхности материалов свет вновь возвращается в рабочий объем гибридного фотовольтаического преобразователя. Этим способом достигается более высокая эффективность преобразования солнечной энергии в электрическую (КПД), а также снижение стоимости единицы выходной мощности электрической энергии. Гибридный фотоэлектрический преобразователь, содержащий пленку из полупроводникового полимерного широкозонного фотоэлектрического преобразователя и прозрачную пленку окиси титана (TiOx), размещен на ниэкоомном кристаллическом кремнии, а поверх полимерной пленки нанесена текстура с антиотражающим покрытием.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : russe (RU)
Langue de dépôt : russe (RU)