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1. (WO2009093419) RÉSINE POUR PHOTORÉSIST À AMPLIFICATION CHIMIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/093419    N° de la demande internationale :    PCT/JP2009/000105
Date de publication : 30.07.2009 Date de dépôt international : 14.01.2009
CIB :
C08F 8/00 (2006.01), G03F 7/039 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; MAINICHI INTECIO. 3-4-5, Umeda, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka, 5300001 (JP) (Tous Sauf US).
OKUMURA, Arimichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : OKUMURA, Arimichi; (JP)
Mandataire : GOTO, Yukihisa; Minamimorimachi Kyodo Bldg. 2nd Floor, 2-18 Kobai-cho, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300038 (JP)
Données relatives à la priorité :
2008-010013 21.01.2008 JP
Titre (EN) RESIN FOR CHEMICALLY AMPLIFIED PHOTORESIST AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) RÉSINE POUR PHOTORÉSIST À AMPLIFICATION CHIMIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 化学増幅型フォトレジスト用樹脂及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a resin for chemically amplified photoresists, which is obtained by reacting a polymer compound (A) having at least both repeating structure units represented by general formulae (I) and (II) (wherein R1, R2, R5 and R6 respectively represent a hydrogen atom or the like; R3, R4, R7 and R8 respectively represent a single bond, a hydrogen atom or an organic group having 1-20 carbon atoms; and m, n, p and q respectively represent an integer of 0-3, provided that m and n are not 0 at the same time, and p and q are not 0 at the same time) with a compound (B) represented by general formula (III) (wherein R9 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1-6 carbon atoms; X represents an organic group having 1-20 carbon atoms; and k represents an integer of 2-4) in the presence of a catalyst. The resin for chemically amplified photoresists enables formation of a very fine, uniform pattern during production of a semiconductor.
(FR)Cette invention concerne une résine pour photorésists à amplification chimique, obtenue en faisant réagir un composé polymère (A) ayant au moins les deux unités structurelles répétées représentées par les formules générales (I) et (II) (R1, R2, R5 et R6 représentent respectivement un atome d'hydrogène ou similaire; R3, R4, R7 et R8 représentent respectivement une liaison unique, un atome d'hydrogène ou un groupe organique ayant de 1 à 20 atomes de carbone; et m, n, p et q représentent respectivement un nombre entier de 0 à 3, dans la mesure où m et n ne valent pas 0 en même temps, et p et q ne valent pas 0 en même temps) avec un composé (B) représenté par la formule générale (III) (R9 représente un atome d'hydrogène ou un groupe alkyle ayant de 1 à 6 atomes de carbone; X représente un groupe organique ayant de 1 à 20 atomes de carbone; et k représente un nombre entier de 2 à 4 en présence d'un catalyseur. La résine pour photorésists à amplification chimique permet la formation d'un motif uniforme très fin lors de la production d'un semi-conducteur. (I) (II) (III)
(JA) 下記一般式(I)及び(II) (式中、R1、R2、R5、R6は水素原子等であり、R3、R4、R7、R8は単結合、水素原子又は炭素数1~20の有機基である。m、n、p、qは0~3の整数を示し、mとnが同時に0ではなく、また、pとqが同時に0ではない。)で表される繰り返し構造単位の双方を少なくとも有する高分子化合物(A)と、下記一般式(III) (式中、R9は水素原子又は炭素数1~6のアルキル基、Xは炭素数1~20の有機基、kは2~4の整数を示す。)で表される化合物(B)とを触媒存在下反応させて得られる化学増幅型フォトレジスト用樹脂。この化学増幅型フォトレジスト用樹脂によれば、半導体の製造において、極微細で均一なパターン形成を可能とする。 【化1】
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)