WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2009091231) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT DISPOSITIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/091231    N° de la demande internationale :    PCT/KR2009/000283
Date de publication : 23.07.2009 Date de dépôt international : 19.01.2009
CIB :
H05B 33/14 (2006.01)
Déposants : LG CHEM, LTD. [KR/KR]; 20, Yoido-dong, Youngdungpo-gu Seoul 150-721 (KR) (Tous Sauf US).
KANG, Min-Soo [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
SON, Se-Hwan [KR/KR]; (KR) (US Seulement).
NOH, Jeoung-Kwen [KR/KR]; (KR) (US Seulement)
Inventeurs : KANG, Min-Soo; (KR).
SON, Se-Hwan; (KR).
NOH, Jeoung-Kwen; (KR)
Mandataire : HANYANG PATENT FIRM; 9F Keungil Tower 677-25 Yeoksam-dong, Gangnam-gu Seoul 135-914 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2008-0005812 18.01.2008 KR
Titre (EN) ORGANIC LUMINESCENT DEVICE AND A PRODUCTION METHOD FOR THE SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT DISPOSITIF
(KO) 유기발광소자 및 이의 제조 방법
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides an organic luminescent device comprising a first electrode, two or more organic layers and a second electrode, and a manufacturing method for the same. A characterising feature is that the first electrode comprises a conductive layer and an n-type organic layer in contact with the conductive layer; one of the organic layers interposed between the n-type organic layer of the first electrode and the second electrode is a p-type organic layer forming an NP junction with the n-type organic layer of the first electrode; and the energy levels of the layers satisfy the following Formulae (1) and (2), and another characterising feature is that one or more of the organic layers interposed between the p-type organic layer and the second electrode is (are) n-type doped with an alkaline earth metal: 0eV < EnL - EF1 ≤ 4eV (1); and EpH - EnL ≤ 1eV (2). In Formulae (1) and (2), EF1 is the Fermi energy level, EnL is the LUMO (lowest unoccupied molecular orbital) energy level of the n-type organic layer of the first electrode, and EpH is the HOMO (highest occupied molecular orbital) energy level of the p-type organic layer forming the NP junction with the n-type organic layer of the first electrode.
(FR)La présente invention concerne un dispositif électroluminescent organique comprenant une première électrode, au moins deux couches organiques et une seconde électrode, ainsi qu'un procédé de fabrication dudit dispositif. L'invention est caractérisée en ce que la première électrode comprend une couche conductrice et une couche organique de type n en contact avec la couche conductrice; une des couches organiques intercalée entre la couche organique de type n de la première électrode et la seconde électrode est une couche organique de type p formant une jonction NP avec la couche organique de type n de la première électrode, et les niveaux d'énergie des couches satisfont les formules (1) et (2). L'invention est également caractérisée en ce qu'au moins une des couches organiques intercalée entre la couche organique de type p et la seconde électrode est de type n dopée avec un métal alcalino-terreux: 0eV < EnL - EF1 ≤ 4eV (1); et EpH - EnL ≤ 1eV (2). Dans les formules (1) et (2), EF1 représente le niveau d'énergie de Fermi, EnL représente le niveau d'énergie de LUMO (orbitale moléculaire inoccupée d'énergie la plus faible) de la couche organique de type n de la première électrode, et EpH représente le niveau d'énergie HOMO (orbitale moléculaire occupée d'énergie la plus élevée) de la couche organique de type p formant la jonction NP avec la couche organique de type n de la première électrode.
(KO)본 발명은 제1 전극, 2층 이상의 유기물층 및 제2 전극을 포함하는 유기발광소자로서, 상기 제1 전극은 도전층 및 상기 도전층과 접하는 n-형 유기물층을 포함하고, 상기 제1 전극의 n-형 유기물층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 유기물층 중 1층은 상기 제1 전극의 n-형 유기물층과 NP 접합을 형성하는 p-형 유기물층이며, 상기 층들의 에너지 준위가 하기 식 (1) 및 (2)를 만족하는 것을 특징으로 하고, 상기 p-형의 유기물층과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 유기물층 중 1층 이상은 알칼리 토금속에 의하여 n-형 도핑된 것을 특징으로 하는 유기발광소자 및 이의 제조 방법을 제공한다. 0eV < EnL - EF1 ≤ 4eV (1) EpH - EnL ≤ 1eV(2) 상기 식 (1) 및 (2)에서, EF1은 상기 제1 전극의 도전층의 페르미 에너지 준위이고, EnL은 상기 제1 전극의 n-형 유기물층의 LUMO(lowest unoccupied molecular orbital) 에너지 준위이며, EpH는 상기 제1 전극의 n-형 유기물층과 NP접합을 형성하는 p-형 유기물층의 HOMO(highest occupied molecular orbital) 에너지 준위이다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)