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1. (WO2009090605) CELLULE DE MÉMOIRE ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/090605    N° de la demande internationale :    PCT/IB2009/050130
Date de publication : 23.07.2009 Date de dépôt international : 14.01.2009
CIB :
G11C 11/16 (2006.01), G11C 13/02 (2006.01), H01L 27/22 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504 (US) (Tous Sauf US).
KARG, Siegfried, F. [DE/CH]; (CH) (US Seulement).
MEIJER, Ingmar [NL/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : KARG, Siegfried, F.; (CH).
MEIJER, Ingmar; (CH)
Mandataire : TOLETI, Martin; Saeumerstrasse 4 Intellectual Property Law CH-8803 Rueschlikon (CH)
Données relatives à la priorité :
08100565.4 16.01.2008 EP
Titre (EN) MEMORY CELL, AND MEMORY DEVICE
(FR) CELLULE DE MÉMOIRE ET DISPOSITIF DE MÉMOIRE
Abrégé : front page image
(EN)A memory cell according to the invention comprises a magnetic element that includes a first and a second ferromagnetic layer (11, 12), the relative orientation of the magnetizations of which defines a data bit, the first and second ferromagnetic layers being separated by a non-ferromagnetic, preferably electrically insulating spacer layer (13). The data bit can be read out, as is known in the art of magnetic RAM, by measuring the electrical resistance across the magnetic element, preferably perpendicular to a layer plane. In addition to the magnetic element, the memory cell comprises a further, third ferromagnetic layer (15), the magnetization direction of which is well-defined, and a resistance switching material (14), a carrier density of which may be altered by causing an ion concentration to alter by means of an applied electrical voltage signal. By this, the carrier density may be switched between a first and a second state, an effective exchange coupling between the second and the third ferromagnetic layer being influenced in a manner that an overall magnetic coupling between the magnetizations of the second and the third ferromagnetic layer changes directions, i.e. a the overall magnetic coupling favors different relative orientations of the magnetization directions of the second and third ferromagnetic layers.
(FR)Une cellule de mémoire selon l'invention comprend un élément magnétique qui comporte une première et une deuxième couche ferromagnétique (11, 12) dont l'orientation relative des aimantations définit un bit de données, les première et deuxième couches ferromagnétiques étant séparées par une couche de séparation (13) non ferromagnétique, de préférence électriquement isolante. Le bit de données peut être lu de la manière connue dans l'art des RAM magnétiques, en mesurant la résistance électrique à travers l'élément magnétique de préférence perpendiculairement à un plan de couche. Outre l'élément magnétique, la cellule de mémoire comprend une troisième couche ferromagnétique (15) dont la direction d'aimantation est bien définie, ainsi qu'un matériau de commutation de résistance (14) dont une densité de porteurs de charge peut être modifiée en modifiant une concentration d'ions par application d'un signal de tension électrique. De ce fait, la densité de porteurs de charge peut être commutée entre un premier et un second état, un couplage d'échange efficace entre la deuxième et la troisième couche ferromagnétique étant influencé de telle manière qu'un couplage magnétique global entre les aimantations de la deuxième et de la troisième couche ferromagnétique modifie les directions, autrement dit le couplage magnétique global favorise des orientations relatives différentes des directions d'aimantation des deuxième et troisième couches ferromagnétiques.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)