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1. (WO2009088910) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE CHANGEMENT DE PHASE DE CHALCOGÉNURE À LASER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/088910    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/088611
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 31.12.2008
CIB :
H01L 21/82 (2006.01)
Déposants : ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC. [US/US]; 13900 NW Science Park Dr., Portland, OR 97229 (US) (Tous Sauf US).
HOOPER, Andy, E. [US/US]; (US) (US Seulement).
KAWASAKI, Allen [US/US]; (US) (US Seulement).
HAINSEY, Robert [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : HOOPER, Andy, E.; (US).
KAWASAKI, Allen; (US).
HAINSEY, Robert; (US)
Mandataire : KNIGHT, Michelle L.; Young Basile Hanlon Macfarlane & Helmholdt, Pc, 3001 West Big Beaver Rd., Ste. 624, Troy, MI 48084 (US)
Données relatives à la priorité :
11/972,660 11.01.2008 US
Titre (EN) LASER CHALCOGENIDE PHASE CHANGE DEVICE AND METHOD
(FR) DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE CHANGEMENT DE PHASE DE CHALCOGÉNURE À LASER
Abrégé : front page image
(EN)A laser activated phase change device for use in an integrated circuit comprises a chalcogenide fuse configured to connect a first patterned metal line and a second patterned metal line and positioned between an inter layer dielectric and an over fuse dielectric. The fuse interconnects active semiconductor elements manufactured on a substrate. A method for activating the laser activated phase change device includes selecting a laser condition of a laser based on characteristics of the fuse and programming a phase-change of the fuse with the laser by direct photon absorption until a threshold transition temperature is met.
(FR)L'invention concerne un dispositif de changement de phase activé par laser destiné à être utilisé dans un circuit intégré, lequel dispositif comprend un fusible de chalcogénure configuré pour relier une première ligne de métal gravé et une seconde ligne de métal gravé et positionné entre un diélectrique de couche intermédiaire et au-dessus d'un diélectrique de fusible. Le fusible relie entre eux des éléments semiconducteurs actifs fabriqués sur un substrat. Un procédé pour activer le dispositif de changement de phase activé par laser comprend la sélection d'un état de laser sur la base des caractéristiques du fusible, et la programmation d'un changement de phase du fusible à l'aide du laser par absorption photonique directe jusqu'à ce qu'une température de transition de seuil soit satisfaite.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)