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1. (WO2009088770) SYSTÈME DE DISTRIBUTION DE GAZ POUR UNE SOURCE D'IONS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/088770    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/088155
Date de publication : 16.07.2009 Date de dépôt international : 23.12.2008
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01)
Déposants : VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC. [US/US]; 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US) (Tous Sauf US).
SLOCUM, John [US/US]; (US) (US Seulement).
KEEN, Kevin, M. [US/US]; (US) (US Seulement).
CAMPBELL, Chris [US/US]; (US) (US Seulement).
LINDBERG, Robert [US/US]; (US) (US Seulement).
CASEY, Stefan [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SLOCUM, John; (US).
KEEN, Kevin, M.; (US).
CAMPBELL, Chris; (US).
LINDBERG, Robert; (US).
CASEY, Stefan; (US)
Mandataire : CHOI, Changhoon; Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc., 35 Dory Road, Gloucester, MA 01930 (US)
Données relatives à la priorité :
61/018,690 03.01.2008 US
12/339,221 19.12.2008 US
Titre (EN) GAS DELIVERY SYSTEM FOR AN ION SOURCE
(FR) SYSTÈME DE DISTRIBUTION DE GAZ POUR UNE SOURCE D'IONS
Abrégé : front page image
(EN)An ion source has an arc chamber with an electron-emitting element and a repeller. A manifold assembly defines a cavity and a gas outlet configured to allow gas flow to the arc chamber. This gas outlet is closer to the repeller than the electron-emitting element. In one embodiment, the ion source has a first crucible and a second crucible. The first crucible and the second crucible are connected to the manifold assembly. In one instance, the crucibles have tamper-resistant features.
(FR)La présente invention concerne une source d'ions qui comporte une chambre à arc pourvue d'un élément émettant des électrons et un réflecteur. Un ensemble collecteur définit une cavité et une sortie de gaz configurées pour permettre un écoulement de gaz dans la chambre à arc. Cette sortie de gaz est plus proche du réflecteur que de l'élément émettant des électrons. Dans un mode de réalisation, la source d'ions comporte un premier creuset et un second creuset. Le premier creuset et le second creuset sont reliés à l'ensemble collecteur. Dans un cas, les creusets ont des caractéristiques d'inviolabilité.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)