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1. (WO2009086157) DISPOSITIF MÉMOIRE COMPORTANT UNE COUCHE DE STOCKAGE DE CHARGE AU NITRURE DE SILICIUM DOPÉE AU BORE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/086157    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/087763
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 19.12.2008
CIB :
H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 29/51 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01)
Déposants : SPANSION LLC [US/US]; 915 DeGuigne Drive, M/S 250, Sunnyvale, California 94088-3453 (US) (Tous Sauf US)
Inventeurs : JONES, Gwyn, R.; (US).
RANDOLPH, Mark; (US)
Mandataire : LARSON NEWMAN ABEL & POLANSKY, LLP; 5914 West Courtyard Drive, Suite 200, Austin, TX 78730 (US)
Données relatives à la priorité :
11/961,757 20.12.2007 US
Titre (EN) MEMORY DEVICE COMPRISING A SILICON NITRIDE CHARGE STORAGE LAYER DOPED WITH BORON
(FR) DISPOSITIF MÉMOIRE COMPORTANT UNE COUCHE DE STOCKAGE DE CHARGE AU NITRURE DE SILICIUM DOPÉE AU BORE
Abrégé : front page image
(EN)An electronic device can include a silicon nitride layer. In an embodiment, the silicon nitride layer can include boron, grains, or both. The silicon nitride layer may be used as part of a charge storage layer within a nonvolatile memory cell within the electronic device. In a particular embodiment, the boron within the silicon nitride layer may be no greater than approximately 9 atomic % of the layer. The boron can be incorporated into the silicon nitride layer as it is being formed. The layer can be formed using chemical vapor deposition, physical vapor deposition, another suitable formation process, or any combination thereof.
(FR)L'invention concerne un dispositif électronique pouvant comporter une couche de nitrure de silicium. Dans un mode de réalisation, la couche de nitrure de silicium peut contenir du bore, des grains, ou ces deux composants. La couche de nitrure de silicium peut être utilisée comme partie d'une couche de stockage de charge à l'intérieur d'une cellule de mémoire non volatile dans le dispositif électronique. Dans un mode de réalisation particulier, le bore à l'intérieur de la couche de nitrure de silicium peut ne pas dépasser approximativement 9 % atomique de la couche. Le bore peut être incorporé à la couche de nitrure de silicium au moment où celle-ci est formée. La couche peut être formée au moyen d'un dépôt chimique en phase vapeur, d'un dépôt physique en phase vapeur, d'un autre processus de formation approprié, ou d'une combinaison de ceux-ci.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)