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1. (WO2009084901) PROCÉDÉ PERMETTANT DE COMMANDER LA DISTRIBUTION DENSIMÉTRIQUE DU PLASMA DANS UNE CHAMBRE À PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/084901    N° de la demande internationale :    PCT/KR2008/007780
Date de publication : 09.07.2009 Date de dépôt international : 30.12.2008
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
Déposants : NEST CORP. [KR/KR]; 14F, Korea Advanced Nono Fab Center, 906-10, Iui-dong, Yeongtong-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do, 443-270 (KR) (Tous Sauf US).
KIM, Young [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KIM, Young; (US)
Mandataire : LEE, Chulhee; 5F, Donggung Bldg., 647-13, Yeoksam-dong, Gangnam-gu, Seoul, 135-911 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2007-0141335 31.12.2007 KR
Titre (EN) METHOD FOR CONTROLLING PLASMA DENSITY DISTRIBUTION IN PLASMA CHAMBER
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE COMMANDER LA DISTRIBUTION DENSIMÉTRIQUE DU PLASMA DANS UNE CHAMBRE À PLASMA
Abrégé : front page image
(EN)A method for controlling plasma density distribution in a plasma chamber in order to control a critical dimension (CD) and obtain uniformity of an etching rate. The plasma density distribution control method is used to fabricate a semiconductor device in the plasma chamber and comprises the steps of establishing an intended plasma density distribution in the plasma chamber and controlling a voltage distribution in the plasma chamber with relation to the established plasma density distribution.
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de commander la distribution densimétrique du plasma dans une chambre à plasma afin de réguler une dimension critique (CD) et d'obtenir une vitesse de gravure uniforme. Le procédé permettant de commander la distribution densimétrique du plasma est utilisé dans le cadre de la fabrication d'un dispositif à semiconducteur dans la chambre à plasma et consiste à établir une distribution densimétrique du plasma souhaitée dans la chambre à plasma, puis à commander une distribution de tension dans la chambre à plasma en fonction de la distribution densimétrique du plasma établie.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : coréen (KO)