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1. WO2009071815 - EQUIPEMENT POUR LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF DE POMPAGE ET PORTE-SUBSTRAT CORRESPONDANTS

Numéro de publication WO/2009/071815
Date de publication 11.06.2009
N° de la demande internationale PCT/FR2008/052101
Date du dépôt international 21.11.2008
CIB
H01J 37/32 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
JTUBES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE OU LAMPES À DÉCHARGE ÉLECTRIQUE
37Tubes à décharge pourvus de moyens permettant l'introduction d'objets ou d'un matériau à exposer à la décharge, p.ex. pour y subir un examen ou un traitement
32Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
H01L 21/68 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
67Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
68pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
CPC
H01J 37/3244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
3244Gas supply means
H01J 37/32834
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32431Constructional details of the reactor
32798Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
32816Pressure
32834Exhausting
H01L 21/67017
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
67011Apparatus for manufacture or treatment
67017Apparatus for fluid treatment
Y10T 137/85978
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
137Fluid handling
8593Systems
85978With pump
Déposants
  • ALCATEL LUCENT [FR]/[FR] (AllExceptUS)
  • MAQUIN, Philippe [FR]/[FR] (UsOnly)
Inventeurs
  • MAQUIN, Philippe
Mandataires
  • SCIAUX, Edmond
Données relatives à la priorité
075918921.11.2007FR
Langue de publication français (FR)
Langue de dépôt français (FR)
États désignés
Titre
(EN) EQUIPMENT FOR PRODUCING SEMICONDUCTORS AND CORRESPONDING PUMPING DEVICE AND SUBSTRATE HOLDER
(FR) EQUIPEMENT POUR LA FABRICATION DE SEMI-CONDUCTEURS, DISPOSITIF DE POMPAGE ET PORTE-SUBSTRAT CORRESPONDANTS
Abrégé
(EN)
The invention relates to a piece of equipment for producing semiconductors, comprising a process chamber (2), a substrate holder (5) for holding a substrate (6) for processing within said chamber (2) and a pumping device (4), comprising a vacuum pump (7) in which a flow of gas for pumping may flow between a gas inlet (9) and a gas outlet (10) of which said inlet (9) is connected to the process chamber (2), the substrate holder (5) and the vacuum pump (7) being in the same axis (12), the substrate holder (5) being arranged upstream of said inlet (9) of said vacuum pump (7) in the flow of gas for pumping, characterised in that the pumping device (4) comprises a gas pressure regulation means (8) at the outlet (10) of the vacuum pump (7), for controlling the pressure of the gas at the inlet (9) of the vacuum pump (7) and that the substrate holder (5) comprises at least three support branches (21) connected to a support (20) on the substrate holder (5) in order to fix the support (20) to the process chamber (2) and to provides services to the support (20), at least one branch (21) comprising at least one duct (22), for the passage of said services.
(FR)
L'invention concerne un équipement pour la fabrication de semi-conducteurs comportant une chambre de procédés (2), un porte-substrat (5) apte à supporter un substrat (6) devant être traité dans ladite chambre (2) et un dispositif de pompage (4) comportant une pompe à vide (7) dans laquelle un flux de gaz à pomper peut circuler entre une entrée d'admission des gaz (9) et une sortie de refoulement des gaz (10) et dont ladite entrée (9) est mise en communication avec la chambre de procédés (2), le porte-substrat (5) et la pompe à vide (7) possédant le même axe (12), le porte- substrat (5) étant disposé en amont de ladite entrée (9) de ladite pompe à vide (7) dans le flux des gaz à pomper, caractérisé en ce que le dispositif de pompage (4) comporte un moyen de régulation (8) de la pression des gaz en sortie de refoulement (10) de ladite pompe à vide (7), apte à contrôler la pression des gaz en entrée d'admission (9) de ladite pompe à vide (7) et en ce que !e porte-substrat (5) comporte au moins trois branches de support (21 ) reliées à un support (20) du porte-substrat (5) pour d'une part, fixer ledit support (20) à la chambre de procédés (2) et d'autre part, pour acheminer des servitudes au support (20), au moins une branche (21) comportant au moins un conduit (22), pour le passage desdits servitudes.
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