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1. (WO2009039041) DISPOSITIFS D'ALIMENTATION AU NITRURE DE GALLIUM ENRICHIS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/039041    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/076199
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 12.09.2008
CIB :
H01L 29/778 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : TRANSPHORM INC. [US/US]; 107 South La Patera Lane, Goleta, California 93117 (US) (Tous Sauf US).
SUH, Chang Soo [KR/US]; (US) (US Seulement).
MISHRA, Umesh [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : SUH, Chang Soo; (US).
MISHRA, Umesh; (US)
Mandataire : ZANOCCO, Jennifer, A.; Fish & Richardson P.C., P.O. Box 1022, Minneapolis, Minnesota 55440 (US)
Données relatives à la priorité :
11/856,687 17.09.2007 US
Titre (EN) ENHANCEMENT MODE GALLIUM NITRIDE POWER DEVICES
(FR) DISPOSITIFS D'ALIMENTATION AU NITRURE DE GALLIUM ENRICHIS
Abrégé : front page image
(EN)Enhancement mode III-nitride devices are described. The 2DEG is depleted in the gate region so that the device is unable to conduct current when no bias is applied at the gate. Both gallium face and nitride face devices formed as enhancement mode devices.
(FR)L'invention concerne des dispositifs de nitrure III enrichis. Le gaz électronique 2D (2DEG) est appauvri dans la zone de la grille de manière que le dispositif ne puisse conduire le courant lorsqu'aucune polarisation n'est appliquée sur la grille. L'invention concerne des dispositifs enrichis formés de couches de gallium et de nitrure.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)