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1. (WO2009037834) RÉSINE D'APPRÊT POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/037834    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/002568
Date de publication : 26.03.2009 Date de dépôt international : 18.09.2008
CIB :
C08G 73/10 (2006.01), C08L 63/00 (2006.01), C08L 79/08 (2006.01), C09D 5/00 (2006.01), C09D 163/00 (2006.01), C09D 179/08 (2006.01), C09J 5/02 (2006.01), C09J 179/08 (2006.01), H01L 23/29 (2006.01), H01L 23/31 (2006.01)
Déposants : NIPPON KAYAKU KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 11-2, Fujimi 1-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1028172 (JP) (Tous Sauf US).
UCHIDA, Makoto [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MOTEKI, Shigeru [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
TANAKA, Ryutaro [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
MORITA, Hiromi [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : UCHIDA, Makoto; (JP).
MOTEKI, Shigeru; (JP).
TANAKA, Ryutaro; (JP).
MORITA, Hiromi; (JP)
Mandataire : SAEKI, Norio; 4th Floor, Aminosan Kaikan Building, 15-8, Nihonbashi 3-chome, Chuo-ku, Tokyo 1030027 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-243368 20.09.2007 JP
Titre (EN) PRIMER RESIN FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) RÉSINE D'APPRÊT POUR DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置用プライマー樹脂及び半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a primer resin for a semiconductor device having a lead frame comprising copper or 42 alloy, which comprises a polyamide resin represented by the formula (1) [wherein R1 represents a tetravalent aromatic residue of a tetracarboxylic acid selected from the group consisting of pyromellitic acid, 3,4,3',4'-diphenylethertetracarboxylic acid, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid and 3,4,3',4'-benzophenonetetracarboxylic acid; R2 represents a bivalent residue of at least one diamine selected from the group consisting of diamino-4,4'-hydroxydiphenylsulfone, 4,4'-diamino-3,3',5,5'-tetraethyldiphenylmethane and 1,3-bis-(aminophenoxy)benzene; and n represents a number of repeats and is a positive integer of 10 to 1000]. Also disclosed is a semiconductor device having a layer of the primer resin between a lead frame comprising copper or 42 alloy and a cured product of a sealing resin. Further disclosed is an epoxy resin composition for sealing a semiconductor, which comprises the primer resin. The semiconductor device is significantly improved in the adhesion between the lead frame and the cured product of the sealing resin composition, and has excellent heat resistance and low moisture absorption.
(FR)L'invention concerne une résine d'apprêt pour un dispositif semi-conducteur comportant une grille de connexion comprenant du cuivre ou de l'alliage 42, qui comprend une résine de polyamide représentée par la formule (1), dans laquelle R1 représente un résidu aromatique tétravalent d'un acide tétracarboxylique choisi dans l'ensemble constitué des acide pyromellitique, acide 3,4,3',4'-diphényléthertétracarboxylique, acide 2,3,6,7-naphthalènetétracarboxylique et acide 3,4,3',4'-benzophénonetétracarboxylique; R2 représente un résidu bivalent d'au moins une diamine choisie dans l'ensemble constitué des diamino-4,4'-hydroxydiphénylsulfone, 4,4'-diamino-3,3',5,5'-tétraéthyldiphénylméthane et 1,3-bis-(aminophénoxy)benzène; et n représente un nombre de répétitions et est un nombre entier positif de 10 à 1000. L'invention concerne également un dispositif semi-conducteur pourvu d'une couche de résine d'apprêt entre une grille de connexion comprenant du cuivre ou de l'alliage 42 et un produit durci d'une résine d'étanchéité. Elle concerne également une composition de résine époxy pour rendre étanche un semi-conducteur, qui comprend la résine d'apprêt. Le dispositif semi-conducteur présente une adhésion significativement améliorée entre la grille de connexion et le produit durci de la composition de résine d'étanchéité, et une excellente résistance à la chaleur et une faible absorption d'humidité.
(JA) 本発明は下記式(1) (式中Rはピロメリット酸、3,4,3’,4’-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸、2,3,6.7-ナフタレンテトラカルボン酸及び3,4,3’,4’-ベンゾフェノンテトラカルボン酸からなる群から選ばれるテトラカルボン酸の4価の芳香族残基を表し、Rは、ジアミノ-4,4’-ヒドロキシジフェニルスルホン、4,4’-ジアミノ-3,3‘5,5’-テトラエチルジフェニルメタン及び1,3-ビス-(アミノフェノキシ)ベンゼンよりなる群から選ばれる少なくとも1種のジアミンの2価の残基を表し、nは繰り返し数であり10から1000の正数を表す。)で表されるポリアミド樹脂からなる、銅又は42アロイからなるリードフレームを有する半導体装置用プライマー樹脂、及び銅又は42アロイからなるリードフレームと封止用樹脂硬化物との間にを有し、該プライマー樹脂層を有する半導体装置及び該プライマー樹脂を含む半導体封止用エポキシ樹脂組成物に関するもので、該半導体装置は、該リードフレームと封止用樹脂組成物の硬化物との接着性が著しく向上し、かつ耐熱性及び低吸湿にも優れる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)