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1. (WO2009032928) PROCÉDÉ ET APPAREIL DESTINÉS À RÉPARER DES DÉFAUTS DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRES À SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATILES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2009/032928    N° de la demande internationale :    PCT/US2008/075261
Date de publication : 12.03.2009 Date de dépôt international : 04.09.2008
CIB :
G11C 16/34 (2006.01)
Déposants : RAMBUS INC. [US/US]; 4440 El Camino Real Los Altos, CA 94022 (US) (Tous Sauf US).
BRONNER, Gary, B. [US/US]; (US) (US Seulement).
LI, Ming [US/US]; (US) (US Seulement).
MULLEN, Donald, R. [US/US]; (US) (US Seulement).
WARE, Frederick [US/US]; (US) (US Seulement).
DONNELLY, Kevin, S. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : BRONNER, Gary, B.; (US).
LI, Ming; (US).
MULLEN, Donald, R.; (US).
WARE, Frederick; (US).
DONNELLY, Kevin, S.; (US)
Mandataire : BREGMAN, Dion, M.; Morgan Lewis & Bockius LLP, 2 Palo Alto Square, 3000 El Camino Real, Suite 700, Palo Alto, CA 94306 (US)
Données relatives à la priorité :
60/970,223 05.09.2007 US
Titre (EN) METHOD AND APPARATUS TO REPAIR DEFECTS IN NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES
(FR) PROCÉDÉ ET APPAREIL DESTINÉS À RÉPARER DES DÉFAUTS DANS DES DISPOSITIFS DE MÉMOIRES À SEMI-CONDUCTEURS NON VOLATILES
Abrégé : front page image
(EN)A method of repairing a nonvolatile semiconductor memory device to eliminate defects includes monitoring a memory endurance indicator for a nonvolatile semiconductor memory device contained in a semiconductor package. It is determined whether that the memory endurance indicator exceeds a predefined limit. Finally, in response to determining that the memory endurance indicator exceeds the predefined limit, the device is annealed.
(FR)Cette invention concerne un procédé de réparation d'un dispositif de mémoire à semi-conducteurs non volatile afin d'éliminer les défauts. Le procédé inclut la surveillance d'un indicateur de résistance de mémoire d'un dispositif de mémoire à semi-conducteurs non volatile contenu dans un boîtier de semi-conducteurs. On détermine si l'indicateur de résistance de mémoire dépasse ou pas une limite prédéfinie. Enfin, en réponse à la détermination que l'indicateur de résistance de mémoire a dépassé la limite prédéfinie, le dispositif est recuit.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)