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1. (WO2008129365) CIRCUIT, CIRCUIT INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ POUR DISSIPER LA CHALEUR DÉGAGÉE PAR UNE CHARGE INDUCTIVE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/129365    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/052682
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 23.04.2007
CIB :
H03K 17/0814 (2006.01), B60T 8/176 (2006.01), B60T 8/1755 (2006.01)
Déposants : FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. [US/US]; 6501 William Cannon Drive West, Austin, Texas 78735 (US) (Tous Sauf US).
HEMON, Erwan [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : HEMON, Erwan; (FR)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD FOR DISSIPATING HEAT FROM AN INDUCTIVE LOAD
(FR) CIRCUIT, CIRCUIT INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ POUR DISSIPER LA CHALEUR DÉGAGÉE PAR UNE CHARGE INDUCTIVE
Abrégé : front page image
(EN)A circuit (240) comprises an inductive load (230). The circuit (240) further comprises an energy-absorbing component operably coupled to the inductive load (23) and arranged to absorb energy generated by the inductive load (230).
(FR)La présente invention concerne un circuit (240) comprenant une charge inductive (230). Le circuit (240) comprend, en outre, un composant absorbant l'énergie couplé de manière fonctionnelle à la charge inductive (23) et conçu pour absorber l'énergie générée par la charge inductive (230).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)