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1. (WO2008128365) PROCÉDÉ POUR FORMER UN MOTIF SUR UN SUBSTRAT ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE AINSI FORMÉ
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/128365    N° de la demande internationale :    PCT/CH2008/000163
Date de publication : 30.10.2008 Date de dépôt international : 10.04.2008
CIB :
H01L 21/027 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01), H01L 51/10 (2006.01), H01L 51/42 (2006.01)
Déposants : BASF SE [DE/DE]; 67056 Ludwigshafen (DE) (Tous Sauf US).
BÜRGI, Lukas [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
PFEIFFER, Reto [CH/CH]; (CH) (US Seulement).
WALTER, Harald [DE/CH]; (CH) (US Seulement).
VON MÜHLENEN, Adrian [CH/CH]; (CH) (US Seulement)
Inventeurs : BÜRGI, Lukas; (CH).
PFEIFFER, Reto; (CH).
WALTER, Harald; (CH).
VON MÜHLENEN, Adrian; (CH)
Données relatives à la priorité :
07007990.0 19.04.2007 EP
Titre (EN) METHOD FOR FORMING A PATTERN ON A SUBSTRATE AND ELECTRONIC DEVICE FORMED THEREBY
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMER UN MOTIF SUR UN SUBSTRAT ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE AINSI FORMÉ
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for forming a pattern on a substrate (S) with an upper surface and a lower surface which comprises the steps of depositing a first layer (E1) of an opaque material on the upper surface of the substrate (S), depositing a photosensitive layer (R) such that part of the photosensitive layer (R) covers at least part of the first layer (E1), exposing the photosensitive layer (R) to a light beam (L), the light beam (L) impinging on the lower surface of the substrate (S) under an oblique angle (&PHgr;) of incidence, removing the exposed region of the photosensitive layer (R), depositing a second layer (E2) of an opaque material such that part of the second layer (E2) covers a remaining region of the photosensitive layer (R), and removing at least a part of the remaining region of the photosensitive layer (R). According to another aspect of the method of the invention anisotropic plasma etching is applied from above the upper surface of the substrate (S) after removal of the exposed region of the photosensitive layer (R) and thereafter the second layer (E2) is deposited. The method of the invention can be applied for forming a source electrode and a drain electrode of a thin-film field effect transistor. The invention furthermore relates to an electronic device fabricated by such a method.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour former un motif sur un substrat (S) avec une surface supérieure et une surface inférieure. Ce procédé consiste à déposer une première couche (E1) d'un matériau opaque sur la surface supérieure du substrat (S), déposer une couche photosensible (R) pour que cette partie de la couche photosensible (R) couvre au moins une partie de la première couche (E1), à exposer ainsi la couche photosensible (R) à un faisceau de lumière (L), le faisceau de lumière (L) entrant en contact avec la surface inférieure du substrat (S) à un angle oblique (&PHgr;) d'incidence, supprimer la région exposée de la couche photosensible (R), déposer une seconde couche (E2) d'un matériau opaque pour qu'une partie de la seconde couche (E2) couvre une région restante de la couche photosensible (R) et supprimer au moins une partie de la région restante de la couche photosensible (R). Selon un autre aspect du procédé de l'invention, une attaque au plasma anisotrope est réalisée sur la partie supérieure de la surface supérieure du substrat (S) après retrait de la région exposée de la couche photosensible (R). Par la suite, la seconde couche (E2) est déposée. Le procédé de l'invention peut être utilisé pour former une électrode source et une électrode drain d'un transistor à effet de champ, à couches minces. L'invention concerne également un dispositif électronique fabriqué par ce procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)