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1. (WO2008123117) SUBSTRAT SOI ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN SUBSTRAT SOI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/123117    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/055168
Date de publication : 16.10.2008 Date de dépôt international : 14.03.2008
CIB :
H01L 21/02 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa, 2430036 (JP) (Tous Sauf US).
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHNUMA, Hideto; (US Seulement)
Inventeurs : YAMAZAKI, Shunpei; (JP).
OHNUMA, Hideto;
Données relatives à la priorité :
2007-079762 26.03.2007 JP
Titre (EN) SOI SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SOI SUBSTRATE
(FR) SUBSTRAT SOI ET PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN SUBSTRAT SOI
Abrégé : front page image
(EN)An SOI substrate and a manufacturing method of the SOI substrate, by which enlargement of the substrate is possible and its productivity can be increased, are provided. A step (A) of cutting a single crystal silicon substrate to form a single crystal silicon substrate which is n (n is an optional positive integer, n 1) times as large as a size of one shot of an exposure apparatus; a step (B) of forming an insulating layer on one surface of the single crystal silicon substrate, and forming an embrittlement layer in the single crystal substrate; and a step (C) of bonding a substrate having an insulating surface and the single crystal silicon substrate with the insulating layer therebetween, and conducting heat treatment to separate the single crystal silicon substrate along the embrittlement layer, and forming a single crystal silicon thin film on the substrate having an insulating surface are conducted.
(FR)La présente invention concerne un substrat SOI et un procédé de réalisation du substrat SOI, le procédé permettant l'élargissement du substrat et l'augmentation de la productivité. Le procédé comprend les opérations suivantes : (A) découpage d'un premier substrat de silicium monocristallin pour former un substrat de silicium monocristallin qui a une taille n (entier positif éventuel, n≥1) fois proportionnelle à celle d'une exposition faite au moyen d'un appareil d'exposition; (B) formation d'une couche isolante sur une surface du substrat de silicium monocristallin, et formation d'une couche de fragilisation dans le substrat de silicium monocristallin; et (C) liaison d'un substrat qui présente une surface isolante au substrat de silicium monocristallin, la couche isolante se trouvant interposée entre les deux, et mise en oeuvre d'un traitement thermique pour séparer le substrat de silicium monocristallin le long de la couche de fragilisation, et formation d'un film mince de silicium monocristallin sur le substrat présentant une surface isolante.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)