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1. (WO2008120482) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/120482    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/050574
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 18.01.2008
CIB :
H01L 21/8246 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 29/82 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01)
Déposants : NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku Tokyo 1088001 (JP) (Tous Sauf US).
KATOU, Yuukou [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
OHSHIMA, Norikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : KATOU, Yuukou; (JP).
OHSHIMA, Norikazu; (JP)
Mandataire : KUDOH, Minoru; 6F, KADOYA BLDG., 24-10, Minamiooi 6-chome Shinagawa-ku Tokyo 1400013 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-086567 29.03.2007 JP
2007-267765 15.10.2007 JP
Titre (EN) MAGNETIC RANDOM ACCESS MEMORY
(FR) MÉMOIRE VIVE MAGNÉTIQUE
(JA) 磁気ランダムアクセスメモリ
Abrégé : front page image
(EN)An MRAM comprises a magnetoresistance element (1). The magnetoresistance element (1) comprises a first magnetic material layer (10) including a first region (11) whose magnetization direction is reversible, a second magnetic material layer (30) whose magnetization direction is fixed in parallel with a magnetization easy axis direction of the first region (11), and a nonmagnetic material layer (20) sandwiched between the first magnetic material layer (10) and the second magnetic material layer (30). A domain wall (DW) is formed at at least one end of the first region (11) of the first magnetic material layer (10). The second magnetic material layer (30) is formed so as to overlap with the first region (11) and the one end. When data is written, a write current is applied between the first magnetic material layer (10) and the second magnetic material layer (30).
(FR)Selon l'invention, une mémoire vive magnétique (MRAM) comprend un élément de magnétorésistance (1). L'élément de magnétorésistance (1) comprend une première couche de matériau magnétique (10) comprenant une première région (11) dont la direction de magnétisation est réversible, une seconde couche de matériau magnétique (30) dont la direction de magnétisation est fixée en parallèle à une direction d'axe de magnétisation facile de la première région (11), et une couche de matériau non magnétique (20) prise en sandwich entre la première couche de matériau magnétique (10) et la seconde couche de matériau magnétique (30). Une paroi de domaine (DW) est formée à au moins une extrémité de la première région (11) de la première couche de matériau magnétique (10). La seconde couche de matériau magnétique (30) est formée de manière à chevaucher la première région (11) et l'extrémité. Lorsque des données sont écrites, un courant d'écriture est appliqué entre la première couche de matériau magnétique (10) et la seconde couche de matériau magnétique (30).
(JA) 本発明に係るMRAMは、磁気抵抗素子1を備える。磁気抵抗素子1は、磁化方向が反転可能な第1領域11を含む第1磁性体層10と、磁化方向が第1領域11の磁化容易軸方向と平行に固定される第2磁性体層30と、第1磁性体層10と第2磁性体層30に挟まれた非磁性体層20と、を有する。第1磁性体層10の第1領域11の少なくとも一端には、磁壁DWが形成される。第2磁性体層30は、第1領域11と上記一端にオーバーラップするように形成される。データ書き込み時、書き込み電流は、第1磁性体層10と第2磁性体層30との間に流される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)