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1. (WO2008120458) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'AJUSTEMENT DU NIVEAU D'UN SUPPORT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/120458    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/000626
Date de publication : 09.10.2008 Date de dépôt international : 18.03.2008
CIB :
H01L 21/683 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01)
Déposants : Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. [JP/JP]; 6-2, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (Tous Sauf US).
YAMADA, Toru [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : YAMADA, Toru; (JP)
Mandataire : YOSHIMIYA, Mikio; 1st Shitaya Bldg. 8F 6-11, Ueno 7-chome Taito-ku, Tokyo 1100005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-087269 29.03.2007 JP
Titre (EN) PEDESTAL LEVELING METHOD AND PEDESTAL LEVELING DEVICE
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'AJUSTEMENT DU NIVEAU D'UN SUPPORT
(JA) 載置台整準方法及び載置台整準装置
Abrégé : front page image
(EN)A pedestal leveling method and device for leveling a substrate pedestal (4) so that the substrate (5) placed on the substrate pedestal (4) equipped in a semiconductor substrate processing system may be in a horizontal position. The device and method is characterized in that a light emitter (1) installed above the substrate pedestal (4) emits a light beam vertically downward, the light beam (2) is reflected from the substrate (5) placed on the substrate pedestal (4), and the inclination of the substrate pedestal (4) is adjusted so that the reflected light beam (3) may be aligned with the emitted light beam (2) to level the substrate pedestal. With this, when the substrate pedestal on which a semiconductor substrate is placed is leveled so that the semiconductor substrate may be in a horizontal position, the processing furnace of the semiconductor substrate processing system does not need to be opened, and any device for leveling the substrate pedestal does not need to be provided in the processing furnace. Thus, the substrate pedestal can be leveled simply and inexpensively.
(FR)La présente invention concerne un procédé et un dispositif d'ajustement du niveau d'un support, lesquels permettent d'ajuster le niveau d'un support de substrat (4) de manière à ce que le substrat (5) placé sur le support de substrat (4) disposé dans un système de traitement de substrats semi-conducteurs puisse être dans une position horizontale. Le dispositif et le procédé sont caractérisés en ce qu'un émetteur de lumière (1) installé au-dessus du support de substrat (4) émet un faisceau lumineux verticalement vers le bas, le faisceau lumineux (2) est réfléchi à partir du substrat (5) placé sur le support de substrat (4), et l'inclinaison du support de substrat (4) est adaptée de telle sorte que le faisceau lumineux réfléchi (3) puisse être aligné avec le faisceau lumineux émis (2) de manière à ajuster le niveau du support de substrat. De cette manière, lorsque le niveau du support de substrat sur lequel un substrat semi-conducteur est placé est ajusté de sorte que le substrat semi-conducteur puisse être dans une position horizontale, le four de traitement du système de traitement de substrats semi-conducteurs n'a pas besoin d'être ouvert, et il n'est pas nécessaire d'équiper le four de traitement d'un dispositif permettant d'ajuster le niveau du support de substrat. Ainsi, le niveau du support de substrat peut être ajusté simplement et de manière peu coûteuse.
(JA) 本発明は、半導体基板処理装置が具備する基板載置台(4)に半導体基板(5)を載置したときに、該基板(5)が水平となるように基板載置台を整準するための載置台整準方法及びその装置であって、基板載置台(4)の上方に設置してある発光器(1)から鉛直下向きに光を出射し、該出射光(2)を基板載置台(4)に載置した基板(5)で反射させ、該基板(5)からの反射光(3)と出射光(2)とが一致するように基板載置台(4)の傾きを調節して基板載置台を整準することを特徴とする載置台整準方法及びその装置である。これにより、基板載置台に半導体基板を載置したときに、該基板が水平となるように基板載置台を整準する際、半導体基板処理装置の処理炉を開放せず、さらに処理炉内に基板載置台を整準するための装置を設置することなく、簡単且つ安価で基板載置台を整準することができる載置台整準方法及び載置台整準装置が提供される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)