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1. (WO2008118193) INTERCONNEXION DE NIVEAU DE TRANCHE POUR DES APPLICATIONS DE FIABILITÉ MÉCANIQUE ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/118193    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/080558
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 05.10.2007
CIB :
H01L 21/4763 (2006.01)
Déposants : FLIPCHIP INTERNATIONAL, LLC [US/US]; 3701 E. University Drive, Phoenix, AZ 85034 (US) (Tous Sauf US).
CURTIS, Anthony [US/US]; (US) (US Seulement).
BURGESS, Guy, F. [US/US]; (US) (US Seulement).
JOHNSON, Michael [US/US]; (US) (US Seulement).
TESSIER, Ted [US/US]; (US) (US Seulement).
YU, Yuan [--/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : CURTIS, Anthony; (US).
BURGESS, Guy, F.; (US).
JOHNSON, Michael; (US).
TESSIER, Ted; (US).
YU, Yuan; (US)
Mandataire : WAHL, John; Greenberg Traurig, LLP, 2450 Colorado Avenue, Suite 400E, Santa Monica, CA 90404 (US)
Données relatives à la priorité :
60/849,657 05.10.2006 US
11/867,646 04.10.2007 US
Titre (EN) WAFER-LEVEL INTERCONNECT FOR HIGH MECHANICAL RELIABILITY APPLICATIONS
(FR) INTERCONNEXION DE NIVEAU DE TRANCHE POUR DES APPLICATIONS DE FIABILITÉ MÉCANIQUE ÉLEVÉE
Abrégé : front page image
(EN)The structure described herein incorporates an interconnect positioned between two spaced electrical contacts. The interconnect comprises a lead (Pb)-free solder alloy consisting essentially of nickel (Ni), tin (Sn), silver (Ag), and copper (Cu). The nickel (Ni) content is sufficient to produce a smooth interfacial IMC layer in an under bump metallurgy (UBM) when disposed between the two contacts. An embodiment of the structure described herein is a device comprising a substrate, an under bump metallurgy (UBM) disposed on the substrate, a bulk solder body disposed on the under bump metallurgy (UBM), and a wafer device connected to the under bump metallurgy (UBM) through the bulk solder body. The bulk solder body comprises of nickel (Ni), tin (Sn), silver (Ag), and copper (Cu). The nickel (Ni) is in a range of 0.01 to 0.20 percent by weight (wt%).
(FR)L'invention concerne une structure incorporant une interconnexion positionnée entre deux contacts électriques espacés. L'interconnexion comporte un alliage de brasure tendre sans plomb (Pb) essentiellement constitué de nickel (Ni), d'étain (Sn), d'argent (Ag) et de cuivre (Cu). La teneur en nickel (Ni) étant suffisante pour produire une couche IMC interfaciale lisse en métallurgie sous-bosse (UBM) une fois disposée entre les deux contacts. Un mode de réalisation de la structure décrite ici est un dispositif comprenant un substrat, une métallurgie sous-bosse (UBM) disposée sur le substrat, un corps de brasure tendre brut disposé sous la métallurgie sous-bosse (UBM), et un dispositif de tranche connectée à la métallurgie sous-bosse (UBM) par l'intermédiaire du corps de brasure tendre brut. Le corps de brasure tendre brut est composé de nickel (Ni), d'étain (Sn), d'argent (Ag) et de cuivre (Cu). Le nickel (Ni) est présent à hauteur de 0,01 à 0,20 pour cent en poids (% pds).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)