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1. (WO2008117592) DISPERSION AQUEUSE POUR POLISSAGE CHIMIO-MÉCANIQUE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE CHIMIO-MÉCANIQUE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/117592    N° de la demande internationale :    PCT/JP2008/052803
Date de publication : 02.10.2008 Date de dépôt international : 20.02.2008
CIB :
H01L 21/304 (2006.01), B24B 37/00 (2006.01), C09K 3/14 (2006.01)
Déposants : JSR CORPORATION [JP/JP]; 6-10, Tsukiji 5-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048410 (JP) (Tous Sauf US).
MATSUMOTO, Taichi [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
UENO, Tomikazu [JP/JP]; (JP) (US Seulement).
ANDOU, Michiaki [JP/JP]; (JP) (US Seulement)
Inventeurs : MATSUMOTO, Taichi; (JP).
UENO, Tomikazu; (JP).
ANDOU, Michiaki; (JP)
Mandataire : OFUCHI, Michie; 2nd Floor, Ogikubo TM Bldg. 26-13, Ogikubo 5-chome Suginami-ku, Tokyo 1670051 (JP)
Données relatives à la priorité :
2007-078748 26.03.2007 JP
Titre (EN) AQUEOUS DISPERSION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND CHEMICAL MECHANICAL POLISHING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPERSION AQUEUSE POUR POLISSAGE CHIMIO-MÉCANIQUE ET PROCÉDÉ DE POLISSAGE CHIMIO-MÉCANIQUE POUR DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 化学機械研磨用水系分散体、および半導体装置の化学機械研磨方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is an aqueous dispersion for chemical mechanical polishing containing (A) a colloidal silica having an average particle size as calculated from a specific surface area determined by a BET method of 10-60 nm, (B) an organic acid having two or more carboxyl groups and one or more hydroxyl groups in a molecule, and (C) a quaternary ammonium compound represented by the general formula (1) below. This aqueous dispersion for chemical mechanical polishing has a pH of 3-5. (1) (In the formula (1), R1-R4 independently represent a hydrocarbon group, and M- represents an anion.)
(FR)La présente invention concerne une dispersion aqueuse pour polissage chimio-mécanique, contenant (A) une silice colloïdale d'un calibre particulaire moyen de 10-60 nm calculé selon le procédé BET à partir d'une superficie spécifique, (B) un acide organique à plusieurs groupes carboxyle et au moins un groupe hydroxyle dans une molécule, et (C) un composé ammonium quaternaire représenté par la formule générale (I) dans laquelle R1-R4 représentent indépendamment un groupe hydrocarbure, et M- représente un anion. Cette dispersion aqueuse pour polissage chimio-mécanique présente un pH de 3-5.
(JA) 本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、(A)BET法を用いて測定した比表面積から算出される平均粒径は、10nm~60nmであるコロイダルシリカと、(B)一分子内に二以上のカルボキシル基および一以上のヒドロキシル基を有する有機酸と、(C)下記一般式(1)で示される四級アンモニウム化合物と、を含み、かつ、pHは3~5である。 ((1)式中、RないしRは、各々独立して炭化水素基を表す。Mは、アニオンを表す。)
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)