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1. WO2008099839 - PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'APPAREIL DE CROISSANCE DE CRISTAL ET DE MONOCRISTAL DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ

Numéro de publication WO/2008/099839
Date de publication 21.08.2008
N° de la demande internationale PCT/JP2008/052319
Date du dépôt international 13.02.2008
CIB
C30B 15/30 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
30Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal
C30B 15/12 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
15Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski
10Creusets ou récipients pour soutenir le bain fondu
12Méthodes utilisant un creuset double
C30B 27/02 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
30CROISSANCE DES CRISTAUX
BCROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
27Croissance de monocristaux sous un fluide protecteur
02par tirage à partir d'un bain fondu
CPC
C30B 27/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
27Single-crystal growth under a protective fluid
02by pulling from a melt
C30B 29/48
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
46Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
48AIIBVI compounds ; wherein A is Zn, Cd or Hg, and B is S, Se or Te
Déposants
  • 日鉱金属株式会社 NIPPON MINING & METALS CO., LTD. [JP]/[JP] (AllExceptUS)
  • 朝日 聰明 ASAHI, Toshiaki [JP]/[JP] (UsOnly)
  • 清水 孝幸 SHIMIZU, Takayuki [JP]/[JP] (UsOnly)
Inventeurs
  • 朝日 聰明 ASAHI, Toshiaki
  • 清水 孝幸 SHIMIZU, Takayuki
Mandataires
  • 荒船 博司 ARAFUNE, Hiroshi
Données relatives à la priorité
2007-03335914.02.2007JP
Langue de publication japonais (JA)
Langue de dépôt japonais (JA)
États désignés
Titre
(EN) PROCESS FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND CRYSTAL GROWING APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'APPAREIL DE CROISSANCE DE CRISTAL ET DE MONOCRISTAL DE SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ
(JA) 化合物半導体単結晶の製造方法および結晶成長装置
Abrégé
(EN)
This invention provides a process for producing a compound semiconductor single crystal, which is a technique applicable to crystal growth utilizing an LEC method and can produce a large-size ZnTe-base compound semiconductor single crystal at a high yield, and a crystal growing apparatus. The production process is a process for producing a compound semiconductor single crystal by a liquid sealing Czochralski method, comprising placing a semiconductor material and a sealing agent in a material melt storage part comprising a closed end cylindrical first crucible and a second crucible, which is disposed on the inner side of the first crucible and has a hole for communication with the first crucible at its bottom, heating the material storage part to melt the material, bringing a seed crystal into contact with the material melt surface in this state, and allowing a crystal to grow while pulling up the seed crystal. In this process, the crystal is grown while rotating the first crucible and the second crucible in the circumferential direction at a predetermined rotation speed.
(FR)
L'invention propose un procédé de production d'un monocristal de semi-conducteur composé qui est une technique applicable à la croissance de cristal utilisant un procédé LEC pour produire un monocristal de semi-conducteur composé de grande taille à base de ZnTe à un rendement élevé, et un appareil de croissance de cristal. Le procédé de production est un procédé pour la production d'un monocristal de semi-conducteur composé par un procédé Czochralski d'étanchéité de liquide, comportant les étapes qui consistent à placer un matériau semi-conducteur et un agent d'étanchéité dans une partie de stockage de fusion de matériau comportant un premier creuset cylindrique d'extrémité fermée et un second creuset qui est disposé sur le côté interne du premier creuset et présente un trou pour une communication avec le premier creuset au niveau de son fond, à chauffer la partie de stockage de matériau pour faire fondre le matériau, à amener un germe cristallin en contact avec la surface de fusion de matériau dans cet état et à permettre à un cristal de croître tout en relevant le germe cristallin. Dans ce procédé, le cristal est mis à croître tout en faisant tourner le premier creuset et le second creuset dans la direction circonférentielle selon une vitesse de rotation prédéterminée.
(JA)
 LEC法を利用した結晶成長に適用できる技術であって、大型のZnTe系化合物半導体単結晶を歩留まりよく製造できる化合物半導体単結晶の製造方法および結晶成長装置を提供する。  有底円筒形の第1のルツボと、該第1のルツボの内側に配置され底部に前記第1のルツボとの連通孔を設けた第2のルツボと、から構成された原料融液収容部に、半導体原料と封止剤を収容し、前記原料収容部を加熱して原料を溶融させ、この状態で前記原料融液表面に種結晶を接触させて、該種結晶を引き上げながら結晶成長させる液体封止チョクラルスキー法による化合物半導体単結晶の製造方法において、前記第1のルツボと前記第2のルツボを、所定の回転数で周方向に回転させながら結晶成長を行うようにした。
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