(EN) A substrate diode for an SOI device (200, 300) is formed in accordance with an appropriately designed manufacturing flow, wherein transistor performance enhancing mechanisms may be implemented substantially without affecting the diode characteristics. In one aspect, respective openings (211A, 211B, 311A, 311B) for the substrate diode may be formed after the formation of a corresponding sidewall spacer structure (236, 336) used for defining the drain and source regions (237, 337), thereby obtaining a significant lateral distribution of the dopants in the diode areas, which may therefore provide sufficient process margins during a subsequent silicidation sequence on the basis of a removal of the spacers (236, 336) in the transistor devices (230A, 230B, 330A, 330B). In a further aspect, in addition to or alternatively, an offset spacer (360S) may be formed substantially without affecting the configuration of respective transistor devices (230A, 230B, 330A, 330B).
(FR) L'invention concerne la diode de substrat pour dispositif SOI (200, 300) formé conformément à un flux de fabrication conçu de manière appropriée, des mécanismes d'amélioration des performances de transistor pouvant être mis en oeuvre sensiblement sans affecter les caractéristiques de diode. Dans un aspect, des ouvertures respectives (21 IA, 21 IB, 31 IA, 311B) pour la diode de substrat peuvent être formée après la formation d'une structure d'entretoise de parois latérales correspondantes (236, 336) utilisée pour définir les régions drain et source (237, 337), permettant d'obtenir ainsi une répartition latérale importante des dopants dans les zones de diode, ce qui peut par conséquent offrir suffisamment de marge de traitement pendant une séquence de siliciuration suivante sur la base d'une suppression des entretoises (236, 336) dans les dispositifs de transistor (230A, 230B, 330A, 33OB). Dans un autre aspect, en plus ou à la place, une entretoise décalée (360S) peut être formée sensiblement sans affecter la configuration des dispositifs transistors respectifs (230A, 230B, 330A, 33OB).