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1. (WO2008090439) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER DES TRANCHES DE MATÉRIAU COMPOSÉ ET TRANCHE DE MATÉRIAU COMPOSÉ CORRESPONDANTE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/090439    N° de la demande internationale :    PCT/IB2008/000131
Date de publication : 31.07.2008 Date de dépôt international : 16.01.2008
CIB :
H01L 21/762 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
Déposants : S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES [FR/FR]; Chemin des Franques, Parc Technologique des Fontaines, F-38190 BERNIN (FR) (Tous Sauf US).
REYNAUD, Patrick [FR/FR]; (FR) (US Seulement).
KONONCHUK, Oleg [US/FR]; (FR) (US Seulement).
STINCO, Michael [FR/FR]; (FR) (US Seulement)
Inventeurs : REYNAUD, Patrick; (FR).
KONONCHUK, Oleg; (FR).
STINCO, Michael; (FR)
Données relatives à la priorité :
07290094.7 24.01.2007 EP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING COMPOUND MATERIAL WAFERS AND CORRESPONDING COMPOUND MATERIAL WAFER
(FR) PROCÉDÉ POUR FABRIQUER DES TRANCHES DE MATÉRIAU COMPOSÉ ET TRANCHE DE MATÉRIAU COMPOSÉ CORRESPONDANTE
Abrégé : front page image
(EN)The invention relates to a method for manufacturing compound material wafers, in particular, silicon on insulator type wafers, comprising the steps: Providing an initial donor substrate, forming an insulating layer over the initial donor substrate, forming a predetermined splitting area in the initial donor substrate, attaching the initial donor substrate onto a handle substrate and detaching the donor substrate at the predetermined splitting area, thereby transferring a layer of the initial donor substrate onto the handle substrate to form a compound material wafer. In order to be able to reuse the donor substrate more often, the invention proposes to carry out the thermal treatment step to form the insulating layer at a temperature of less than 95O0C, in particular, less than 9000C, preferably at 85O0C. The invention also relates to a silicon on insulator type wafer manufactured according to the inventive method.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour fabriquer des tranches de matériau composé, en particulier, des tranches de type silicium sur isolant, qui comprend les étapes qui consistent : à utiliser un substrat donneur initial, à former une couche isolante sur le substrat donneur initial, à former une zone de division prédéterminée dans le substrat donneur initial, à fixer le substrat donneur initial sur un substrat de manipulation et à séparer le substrat donneur dans la zone de division prédéterminée, transférant ainsi une couche du substrat donneur initial sur le substrat de manipulation pour former une tranche de matériau composé. Afin de pouvoir réutiliser le substrat donneur plus souvent, l'invention propose de réaliser l'étape de traitement thermique pour former la couche isolante à une température inférieure à 95O0C, en particulier, inférieure à 9000C, de préférence à 85O0C. L'invention concerne également une tranche de type silicium sur isolant fabriquée selon le procédé de l'invention.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)