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1. (WO2008086295) MOSFET DE PUISSANCE DE DENSITÉ ÉLEVÉE DE MÉTALLISATION PLANARISÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication : WO/2008/086295 N° de la demande internationale : PCT/US2008/050417
Date de publication : 17.07.2008 Date de dépôt international : 07.01.2008
CIB :
H01L 21/304 (2006.01) ,B24B 37/04 (2006.01)
Déposants : LI, Jian[US/US]; US (UsOnly)
VISHAY-SILICONIX[US/US]; 2201 Laurelwood Road Santa Clara, CA 95054, US (AllExceptUS)
Inventeurs : LI, Jian; US
Mandataire : POPA, Robert ; Ladas & Parry LLP 5670 Wilshire Boulevard, Ste. 2100 Los Angeles, CA 90036, US
Données relatives à la priorité :
11/651,25808.01.2007US
Titre (EN) PLANARIZED METALIZATION HIGH-DENSITY POWER MOSFET
(FR) MOSFET DE PUISSANCE DE DENSITÉ ÉLEVÉE DE MÉTALLISATION PLANARISÉE
Abrégé : front page image
(EN) A method for producing a power MOSFET. The method includes fabricating a plurality of layers of a power MOSFET to produce an upper surface active area and performing a chemical mechanical polishing process on the active area to produce a substantially planar surface. A metalization deposition process is then performed on the substantially planar surface and the fabrication of the power MOSFET is subsequently completed.
(FR) L'invention concerne un procédé de production d'un MOSFET de puissance. Le procédé comprend la fabrication d'une pluralité de couches d'un MOSFET de puissance pour produire une zone active de surface supérieure et la réalisation d'un procédé de polissage chimique mécanique sur la zone active pour produire une surface sensiblement plane. Un procédé de dépôt par métallisation est ensuite effectué sur la surface sensiblement plane et la fabrication du MOSFET de puissance est par la suite effectuée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)