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1. (WO2008062600) STRUCTURE DE SILICIUM À OUVERTURE AYANT UN RAPPORT HAUTEUR/LARGEUR ÉLEVÉ, PROCÉDÉ, APPAREIL ET PROGRAMME DE FABRICATION DE CETTE STRUCTURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE DE GRAVURE POUR CETTE STRUCTURE DE SILICIUM
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N° de publication : WO/2008/062600 N° de la demande internationale : PCT/JP2007/068197
Date de publication : 29.05.2008 Date de dépôt international : 19.09.2007
CIB :
H01L 21/3065 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
30
Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes H01L21/20-H01L21/26162
302
pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
306
Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
3065
Gravure par plasma; Gravure au moyen d'ions réactifs
Déposants :
住友精密工業株式会社 SUMITOMO PRECISION PRODUCTS CO., LTD. [JP/JP]; 〒660-0891 兵庫県尼崎市扶桑町1番10号 Hyogo 1-10, Fusocho, Amagasaki-shi, Hyogo 660-0891, JP (AllExceptUS)
田中 雅彦 TANAKA, Masahiko [JP/JP]; JP (UsOnly)
大石 明光 OISHI, Akimitsu [JP/JP]; JP (UsOnly)
Inventeurs :
田中 雅彦 TANAKA, Masahiko; JP
大石 明光 OISHI, Akimitsu; JP
Mandataire :
河野 広明 KOUNO, Hiroaki; 〒530-0036 大阪府大阪市北区与力町4番8号 末広センタービル7F Osaka Suehiro-center Bldg. F7 4-8, Yorikimachi Kita-ku, Osaka-shi Osaka 530-0036, JP
Données relatives à la priorité :
2006-31547222.11.2006JP
2006-31547922.11.2006JP
Titre (EN) SILICON STRUCTURE WITH OPENING HAVING HIGH ASPECT RATIO, METHOD FOR MANUFACTURING THE SILICON STRUCTURE, APPARATUS FOR MANUFACTURING THE SILICON STRUCTURE, PROGRAM FOR MANUFACTURING THE SILICON STRUCTURE, AND METHOD FOR MANUFACTURING ETCHING MASK FOR THE SILICON STRUCTURE
(FR) STRUCTURE DE SILICIUM À OUVERTURE AYANT UN RAPPORT HAUTEUR/LARGEUR ÉLEVÉ, PROCÉDÉ, APPAREIL ET PROGRAMME DE FABRICATION DE CETTE STRUCTURE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MASQUE DE GRAVURE POUR CETTE STRUCTURE DE SILICIUM
(JA) 高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体、その製造方法、その製造装置、及びその製造プログラム、並びにそのシリコン構造体用エッチングマスクの製造方法
Abrégé :
(EN) [PROBLEMS] To provide a silicon structure with an opening having a high aspect ratio and an etching mask for forming the silicon structure. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] In the manufacture of a silicon structure, the following steps are carried out. Silicon is subjected to hole etching or trench etching so that silicon at least on the bottom of an etched part is substantially exposed (hole etching or trench etching step). A silicon oxide film is formed by CVD on a silicon structure formed by the above hole etching or trench etching (silicon oxide film formation step). Thereafter, the formed silicon oxide film is exposed to hydrogen fluoride vapor-containing gas (gas exposure step). Further, the hole etching or trench etching step is again carried out.
(FR) La présente invention a pour but de proposer une structure de silicium comportant une ouverture ayant un rapport hauteur/largeur élevé et un masque de gravure pour former cette structure de silicium. Dans la fabrication d'une structure de silicium, les étapes suivantes sont effectuées. Le silicium est soumis à une gravure de trou ou de tranchée afin d'être sensiblement exposé au moins sur le fond d'une partie gravée (étape de gravure de trou ou de tranchée). Un film d'oxyde de silicium est formé par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur une structure de silicium formée par la gravure de trou ou de tranchée mentionnée ci-dessus (étape de formation de film d'oxyde de silicium). Ensuite, le film d'oxyde de silicium formé est exposé à un gaz de fluorure d'hydrogène contenant des vapeurs (étape d'exposition au gaz). En outre, l'étape de gravure de trou ou de tranchée est répétée.
(JA) 【課題】高アスペクト比の開口を有するシリコン構造体及びそのシリコン構造体を形成するためのエッチングマスクを提供する。 【解決手段】エッチングされた部分の少なくとも底面のシリコンが実質的に露出するようにシリコンをホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程と、そのホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程により形成されたシリコン構造体上にCVD法によりシリコン酸化膜を形成する工程を行う。その後、その形成されたシリコン酸化膜をフッ化水素の蒸気を含む気体に曝露する工程を行う。さらに、前述のホールエッチング又はトレンチエッチングをする工程を再度行う。
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)
Also published as:
KR1020090091307EP2077577US20090275202