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1. (WO2008057183) PROCÉDÉ EN CONTINU D'ÉVALUATION IN SITU DES CARACTÉRISTIQUES MACROSCOPIQUES DE PLAQUETTES ENTIÈRES PENDANT LA CROISSANCE ÉPITAXIALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/057183 N° de la demande internationale : PCT/US2007/022214
Date de publication : 15.05.2008 Date de dépôt international : 18.10.2007
CIB :
G01N 21/95 (2006.01) ,C23C 16/52 (2006.01) ,C30B 23/02 (2006.01) ,C30B 25/16 (2006.01)
G PHYSIQUE
01
MÉTROLOGIE; ESSAIS
N
RECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
21
Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c. à d. en utilisant des rayons infrarouges, visibles ou ultraviolets
84
Systèmes spécialement adaptés à des applications particulières
88
Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
95
caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
23
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
C
REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
16
Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
44
caractérisé par le procédé de revêtement
52
Commande ou régulation du processus de dépôt
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
23
Croissance des monocristaux par condensation d'un matériau évaporé ou sublimé
02
Croissance d'une couche épitaxiale
C CHIMIE; MÉTALLURGIE
30
CROISSANCE DES CRISTAUX
B
CROISSANCE DES MONOCRISTAUX; SOLIDIFICATION UNIDIRECTIONNELLE DES MATÉRIAUX EUTECTIQUES OU DÉMIXTION UNIDIRECTION- NELLE DES MATÉRIAUX EUTECTOÏDES; AFFINAGE DES MATÉRIAUX PAR FUSION DE ZONE; PRODUCTION DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; MONOCRISTAUX OU MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; POST-TRAITEMENT DE MONOCRISTAUX OU DE MATÉRIAUX POLYCRISTALLINS HOMOGÈNES DE STRUCTURE DÉTERMINÉE; APPAREILLAGES À CET EFFET
25
Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p.ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
02
Croissance d'une couche épitaxiale
16
Commande ou régulation
Déposants :
RAYTHEON COMPANY [US/US]; 870 Winter Street Waltham, MA 02451-1449, US (AllExceptUS)
HOKE, William, E. [US/US]; US (UsOnly)
KENNEDY, Theodore, D. [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
HOKE, William, E.; US
KENNEDY, Theodore, D.; US
Mandataire :
MOFFORD, Donald, F. ; Daly, Crowley, Mofford & Durkee, LLP Suite 301a 354a Turnpike St. Canton, MA 02021, US
Données relatives à la priorité :
11/555,47001.11.2006US
Titre (EN) METHOD FOR CONTINUOUS, IN SITU EVALUATION OF ENTIRE WAFERS FOR MACROSCOPIC FEATURES DURING EPITAXIAL GROWTH
(FR) PROCÉDÉ EN CONTINU D'ÉVALUATION IN SITU DES CARACTÉRISTIQUES MACROSCOPIQUES DE PLAQUETTES ENTIÈRES PENDANT LA CROISSANCE ÉPITAXIALE
Abrégé :
(EN) Apparatus and method for growing and observing the growth of epitaxial layers on a wafer (14). The apparatus includes: epitaxial growth apparatus (10); a source of light (12) mounted to illuminate an entire surface of the wafer in the apparatus during growth of the epitaxial layer on the entire surface of the wafer; and apparatus (16, 22, 24) for observing scattering of the light from the entire surface of the wafer during growth of the epitaxial layer on the entire surface of the wafer. The method includes growing the epitaxial layer on a surface of the wafer and observing scattering of the light from the entire surface of the wafer during growth of the epitaxial layer on the entire surface of the wafer. The growing process is varied in accordance with the observation. With an epitaxial layer of gallium nitride (GaN) the entire surface of the wafer is observed for balls of gallium.
(FR) L'invention concerne un appareil et un procédé de croissance et d'observation de la croissance de couches épitaxiales sur une plaquette (14). L'appareil comprend : l'appareil de croissance épitaxiale (10); une source de lumière (12) installée pour éclairer toute la surface de la plaquette dans l'appareil au cours de la croissance de la couche épitaxiale sur toute la surface de la plaquette; et un appareil (16, 22, 24) d'observation de la diffusion de la lumière à partir de la surface entière de la plaquette au cours de la croissance de la couche épitaxiale sur l'entière surface de la plaquette. Le procédé consiste à faire croître la couche épitaxiale sur une surface de la plaquette et à observer la diffusion de la lumière à partir de la surface entière de la plaquette au cours de la croissance de la couche épitaxiale sur l'entière surface de la plaquette. Le processus de croissance varie selon l'observation. Lorsque l'on utilise une couche épitaxiale de nitrure de gallium (GaN), on observe l'entière surface de la plaquette pour détecter la présence de billes de gallium.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : Anglais (EN)
Langue de dépôt : Anglais (EN)