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1. (WO2008056351) PROGRAMMATION D'UNE MÉMOIRE FLASH NAND AVEC PERTURBATION DE PROGRAMME RÉDUITE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/056351 N° de la demande internationale : PCT/IL2007/001344
Date de publication : 15.05.2008 Date de dépôt international : 04.11.2007
CIB :
G11C 16/04 (2006.01) ,G11C 16/34 (2006.01) ,G11C 11/56 (2006.01)
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
04
utilisant des transistors à seuil variable, p.ex. FAMOS
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
16
Mémoires mortes programmables effaçables
02
programmables électriquement
06
Circuits auxiliaires, p.ex. pour l'écriture dans la mémoire
34
Détermination de l'état de programmation, p.ex. de la tension de seuil, de la surprogrammation ou de la sousprogrammation, de la rétention
G PHYSIQUE
11
ENREGISTREMENT DE L'INFORMATION
C
MÉMOIRES STATIQUES
11
Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliers; Eléments d'emmagasinage correspondants
56
utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p.ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
Déposants :
SANDISK IL LTD. [IL/IL]; Central Park 7 Atir Yeda 44643 Kfar Saba, IL (AllExceptUS)
SHLICK, Mark [IL/IL]; IL (UsOnly)
MURIN, Mark [IL/IL]; IL (UsOnly)
Inventeurs :
SHLICK, Mark; IL
MURIN, Mark; IL
Mandataire :
MARK FRIEDMAN; Moshe Aviv Tower, 54th Floor 7 Jabotinsky Street 52520 Ramat Gan, IL
Données relatives à la priorité :
11/806,10830.05.2007US
11/806,11130.05.2007US
60/864,60707.11.2006US
Titre (EN) PROGRAMMING A NAND FLASH MEMORY WITH REDUCED PROGRAM DISTURB
(FR) PROGRAMMATION D'UNE MÉMOIRE FLASH NAND AVEC PERTURBATION DE PROGRAMME RÉDUITE
Abrégé :
(EN) When a memory device receives two or more pluralities of bits from a host to store in a nonvolatile memory, the device first stores the bits in a volatile memory. Then, in storing the bits in the nonvolatile memory, the device raises the threshold voltages of some cells of the volatile memory to values above a verify voltage. While those threshold voltages remain substantially at those levels, the device raises the threshold voltages of other cells of the volatile memory to values below the verify voltage. In the end, every cell stores one or more bits from each plurality of bits. Preferably, all the cells share a common wordline. A data storage device operates similarly with respect to storing pluralities of bits generated by an application running on the system.
(FR) L'invention concerne un dispositif mémoire qui, lorsqu'il reçoit au moins deux ensembles de bits à partir d'un hôte pour les stocker dans une mémoire non volatile, stocke tout d'abord les bits dans une mémoire volatile. Ensuite, lors du stockage des bits dans la mémoire non volatile, le dispositif élève les tensions de seuil de certaines cellules de la mémoire volatile à des valeurs supérieures à celles d'une tension de vérification. Pendant que ces tensions de seuil restent sensiblement à ces niveaux, le dispositif élève les tensions de seuil d'autres cellules de la mémoire volatile à des valeurs inférieures à celles de la tension de vérification. À la fin, chaque cellule stocke un ou plusieurs bits de chaque pluralité de bits. De préférence, toutes les cellules partagent une ligne de mots commune. Un dispositif de stockage de données fonctionne de façon analogue par rapport au stockage des pluralités de bits générés par une application s'exécutant sur le système.
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États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
KR1020090097863CN101573763