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1. (WO2008055007) PROCÉDÉS DE FABRICATION D'UNE COUCHE BARRIÈRE DE COMPOSITION VARIABLE POUR LA MÉTALLISATION CUIVRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/055007 N° de la demande internationale : PCT/US2007/081776
Date de publication : 08.05.2008 Date de dépôt international : 18.10.2007
CIB :
H01L 21/20 (2006.01) ,H01L 21/36 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du quatrième groupe de la Classification Périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21
Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02
Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04
les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
34
les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs non couverts par H01L21/06, H01L21/16 et H01L21/18156
36
Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
Déposants :
LAM RESEARCH CORPORATION [US/US]; 4650 Cushing Parkway Fremont, CA 94538, US (AllExceptUS)
YOON, Hyungsuk, Alexander [US/US]; US (UsOnly)
REDEKER, Fritz [US/US]; US (UsOnly)
Inventeurs :
YOON, Hyungsuk, Alexander; US
REDEKER, Fritz; US
Mandataire :
CHENG, Lie-yea; Martine Penilla & Gencarella, LLP 710 Lakeway Drive, Suite 200 Sunnyvale, CA 94085, US
Données relatives à la priorité :
11/591,31031.10.2006US
Titre (EN) METHODS OF FABRICATING A BARRIER LAYER WITH VARYING COMPOSITION FOR COPPER METALLIZATION
(FR) PROCÉDÉS DE FABRICATION D'UNE COUCHE BARRIÈRE DE COMPOSITION VARIABLE POUR LA MÉTALLISATION CUIVRE
Abrégé :
(EN) Various embodiments provide improved processes and systems that produce a barrier layer with decreasing nitrogen concentration with the increase of film thickness. A barrier layer with decreasing nitrogen concentration with film thickness allows the end of barrier layer with high nitrogen concentration to have good adhesion with a dielectric layer and the end of barrier layer with low nitrogen concentration (or metal-rich) to have good adhesion with copper. An exemplary method of depositing a barrier layer on an interconnect structure is provided. The method includes (a) providing an atomic layer deposition environment, (b) depositing a barrier layer on the interconnect structure with a first nitrogen concentration during a first phase of deposition in the atomic layer deposition environment. The method further includes (c) continuing the deposition of the barrier layer on the interconnect structure with a second nitrogen concentration during a second phase deposition in the atomic layer deposition environment.
(FR) La présente invention concerne, dans plusieurs modes de réalisation, des procédés et systèmes améliorés de production de couche barrière avec une concentration d'azote décroissante au fur et à mesure que l'épaisseur du film augmente. Une couche barrière avec une concentration d'azote décroissante en fonction de l'épaisseur du film permet à l'extrémité de la couche barrière à forte concentration en azote d'avoir une excellente adhérence à une couche diélectrique, tandis que l'extrémité de la couche barrière à faible concentration en azote (ou riche en métal) présente une bonne adhérence au cuivre. L'invention concerne un procédé illustratif de dépôt d'une couche barrière sur une structure d'interconnexion. Le procédé comprend (a) la préparation d'un environnement de dépôt de couche atomique, (b) le dépôt d'une couche barrière sur la structure d'interconnexion, avec une première concentration d'azote au cours d'une première phase de dépôt, dans l'environnement de dépôt de la couche atomique. Le procédé comprend en outre (c) la poursuite du dépôt de la couche barrière sur la structure d'interconnexion, avec une seconde concentration en azote au cours d'une seconde phase de dépôt, dans l'environnement de dépôt de la couche atomique.
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
KR1020090092269CN101595550KR1020140046485