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1. (WO2008054660) FABRICATION AU NIVEAU DE LA PLAQUETTE DE PUCES À COUVERCLE COMPORTANT UNE COUCHE DIÉLECTRIQUE APPLIQUÉE PAR ÉLECTRODÉPOSITION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international

N° de publication : WO/2008/054660 N° de la demande internationale : PCT/US2007/022518
Date de publication : 08.05.2008 Date de dépôt international : 23.10.2007
CIB :
H01L 23/538 (2006.01)
H ÉLECTRICITÉ
01
ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
L
DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
23
Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
52
Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
538
la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
Déposants :
TESSERA TECHNOLOGIES HUNGARY KFT. [HU/HU]; C/o TMF Hungary Ltd. Wesselenyi U. 16 H-1077 Budapest, HU (AllExceptUS)
OGANESIAN, Vage [IL/US]; US (UsOnly)
GRINMAN, Andrey [IL/US]; US (UsOnly)
ROSENSTEIN, Charles [IL/IL]; US (UsOnly)
HAZANOVICH, Felix [IL/IL]; US (UsOnly)
OVRUTSKY, David [IL/IL]; US (UsOnly)
DAYAN, Avi [IL/IL]; US (UsOnly)
AKSENTON, Yulia [IL/IL]; US (UsOnly)
HECHT, Ilya [IL/IL]; US (UsOnly)
HABA, Belgacem [US/US]; US (UsOnly)
HUMPSTON, Giles [GB/GB]; US (UsOnly)
Inventeurs :
OGANESIAN, Vage; US
GRINMAN, Andrey; US
ROSENSTEIN, Charles; US
HAZANOVICH, Felix; US
OVRUTSKY, David; US
DAYAN, Avi; US
AKSENTON, Yulia; US
HECHT, Ilya; US
HABA, Belgacem; US
HUMPSTON, Giles; US
Mandataire :
NEFF, Daryl, K. ; Lerner, David, Littenberg, Krumholz & Mentlik, LLP 600 South Avenue West Westfield, NJ 07090, US
Données relatives à la priorité :
11/590,61631.10.2006US
11/789,69425.04.2007US
Titre (EN) WAFER-LEVEL FABRICATION OF LIDDED CHIPS WITH ELECTRODEPOSITED DIELECTRIC COATING
(FR) FABRICATION AU NIVEAU DE LA PLAQUETTE DE PUCES À COUVERCLE COMPORTANT UNE COUCHE DIÉLECTRIQUE APPLIQUÉE PAR ÉLECTRODÉPOSITION
Abrégé :
(EN) A unit including a semiconductor element, e.g., a chip-scale package (350, 1350) or an optical sensor unit (10) is fabricated. A semiconductor element (300) has semiconductive or conductive material (316) exposed at at least one of the front (302) and rear surfaces (114) and conductive features (310) exposed thereat which are insulated from the semiconductive or conductive material. By electrodeposition, an insulative layer (304) is formed to overlie the at least one of exposed semiconductive material or conductive material. Subsequently, a plurality of conductive contacts (308) and a plurality of conductive traces (306) are formed overlying the electrodeposited insulative layer (304) which connect the conductive features (310) to the conductive contacts (308). An optical sensor unit (10) can be incorporated in a camera module (1030) having an optical element (1058) in registration with an imaging area (1026) of the semiconductor element (1000).
(FR) L'invention concerne la fabrication d'une unité contenant un élément semi-conducteur, par exemple, un boîtier-puce (350, 1350) ou une unité de capteur optique (10). Un élément semi-conducteur (300) comporte un matériau semi-conducteur ou conducteur (316) exposé sur au moins l'une des surfaces avant (302) et arrière (114) et des éléments conducteurs (310) qui y sont exposés et qui sont isolés du matériau semi-conducteur ou conducteur. Une couche isolante (304) est formée par électrodéposition pour recouvrir le ou les matériaux semi-conducteurs ou conducteurs exposés. Ultérieurement, une pluralité de contacts conducteurs (308) et une pluralité de pistes conductrices (306) sont formées de manière à recouvrir la couche isolante (304) formée par électrodéposition et raccordent les éléments conducteurs (310) aux contacts conducteurs (308). Une unité de capteur optique (10) peut être incorporée dans un module d'appareil photo (1030) comportant un élément optique (1058) qui coïncide avec une surface formatrice d'image (1026) de l'élément semi-conducteur (1000).
front page image
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)
Also published as:
KR1020090093973EP2087516CN101578703