Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2008033303 - FILS RAMIFIÉS À L'ÉCHELLE NANO

Numéro de publication WO/2008/033303
Date de publication 20.03.2008
N° de la demande internationale PCT/US2007/019669
Date du dépôt international 11.09.2007
CIB
H01L 21/20 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
18les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
20Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
H01L 21/02381
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
0237Materials
02373Group 14 semiconducting materials
02381Silicon, silicon germanium, germanium
H01L 21/02428
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02367Substrates
02428Structure
H01L 21/02513
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02436Intermediate layers between substrates and deposited layers
02494Structure
02513Microstructure
H01L 21/02521
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
H01L 21/02532
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02524Group 14 semiconducting materials
02532Silicon, silicon germanium, germanium
Déposants
  • PRESIDENT AND FELLOWS OF HARVARD COLLEGE [US]/[US] (AllExceptUS)
  • LIEBER, Charles, M. [US]/[US] (UsOnly)
  • TIAN, Bozhi [CN]/[US] (UsOnly)
  • JIANG, Xiaocheng [CN]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • LIEBER, Charles, M.
  • TIAN, Bozhi
  • JIANG, Xiaocheng
Mandataires
  • OYER, Timothy, J.
Données relatives à la priorité
60/843,68111.09.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) BRANCHED NANOSCALE WIRES
(FR) FILS RAMIFIÉS À L'ÉCHELLE NANO
Abrégé
(EN)
The present invention generally relates to nanotechnology and, in particular, to branched nanoscale wires. In some cases, the branched nanoscale wires may be produced using vapor-phase and/or solution-phase synthesis. Branched nanoscale wires may be grown by depositing nanoparticles onto a nanoscale wire, and segments or 'branches' can then be grown from the nanoparticles. The nanoscale wire may be any nanoscale wire, for example, a semiconductor nanoscale wire, a nanoscale wire having a core and a shell. The segments may be of the same, or of different materials, than the nanoscale wire, for example, semiconductor/metal, semiconductor/semiconductor. The junction between the segment and the nanoscale wire, in some cases, is epitaxial. In one embodiment, the nanoparticles are adsorbed onto the nanoscale wire by immobilizing a positively-charged entity, such as polylysine, to the nanoscale wire, and exposing it to the nanoparticles. In another embodiment, nanoparticles are deposited onto a nanoscale wire by etching the nanoscale wire to produce an H- terminated surface, then exposing the surface to a solution comprising a metal ion, which can be reduced by the surface to form nanoparticles. Segments or branches can then be grown from the deposited nanoparticles to form the branched nanoscale wire.
(FR)
L'invention porte d'une manière générale sur des nanotechnologies et en particulier sur des fils ramifiés à l'échelle nano. Dans certains cas, lesdits fils peuvent être produits par synthèse en phase vapeur et/ou en phase solution. Dans certaines exécutions lon produit les excroissances en déposant sur un fil à l'échelle nano des nanoparticules d'où croissent des segments ou des 'branches'. Les fils à l'échelle nano peuvent être de tous types, par exemple de semi-conducteurs, ou présenter une âme et une coquille. Les segments peuvent être faits du même matériau que le fil ou d'un matériau différent par exemple: semiconducteur/métal, semiconducteur/semiconducteur (et donc de différentes compositions, par exemple IV-IV, IV-III/V, IV-II/VI, etc.), etc. Dans certains cas la jonction entre le fil et les segments peut être épitaxiale. Dans une exécution, les nanoparticules sont adsorbées sur le fil en immobilisant sur le fil une entité chargée positivement telle que de la polylysine puis en l'exposant aux nanoparticules. Dans une autre exécution, on dépose les nanoparticules sur le fil en décapant le fil pour produire une surface terminée en H puis en exposant ladite surface à une solution comprenant un ion métallique qui peut être réduit par la surface pour former des nanoparticles. On peut alors faire croître les segments ou branches à partir des nanoparticules déposées pour former les fils ramifiés à l'échelle nano. L'invention porte en outre sur des essais, des détecteurs, des trousses, et/ou d'autres dispositifs utilisant lesdits fils et sur des procédés de fabrication et/ou d'utilisation desdits fils ou analogues.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international