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1. (WO2008022383) MODULE SOLAIRE À COUCHES MINCES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/022383    N° de la demande internationale :    PCT/AU2007/001197
Date de publication : 28.02.2008 Date de dépôt international : 21.08.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    06.03.2008    
CIB :
H01L 21/768 (2006.01), H01L 27/142 (2006.01), H01L 31/05 (2006.01), H01L 31/042 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
Déposants : WALSH, Timothy, Michael [AU/AU]; (AU).
ABERLE, Armin, Gerhard [DE/AU]; (AU)
Inventeurs : WALSH, Timothy, Michael; (AU).
ABERLE, Armin, Gerhard; (AU)
Mandataire : SPRUSON & FERGUSON; GPO Box 3898, Sydney, NSW 2001 (AU)
Données relatives à la priorité :
2006904568 22.08.2006 AU
Titre (EN) THIN-FILM SOLAR MODULE
(FR) MODULE SOLAIRE À COUCHES MINCES
Abrégé : front page image
(EN)A thin-film solar cell module and a method of interconnecting thin-film solar cells are described. The method comprises forming one or more grooves (200) in a semiconductor thin-film diode structure (202) on a superstrate (102) such that the diode structure is divided into a plurality of discrete solar cells (206), and such that pairs of sidewalls (204) of the respective solar cells have a doping polarity that is the same as that of a superstrate-side semiconductor layer of the diode structure. A non-continuous insulating layer (300) is formed on the diode structure such that one sidewall of each pair of sidewalls is covered by the insulating layer while the other sidewall of each pair and one or more surface contact regions of each solar cell remain exposed. A non-continuous conductive layer (400) is formed on the diode structure such that for each pair of adjacent first and second solar cells (206a, 206b), the exposed sidewall of the first solar cell is electrically connected to the surface contact regions of the second solar cell and remains free from electrical connection to the surface contact regions of the first solar cell.
(FR)L'invention concerne un module de cellules solaires à couches minces et un procédé d'interconnexion de cellules solaires à couches minces. Le procédé comprend la formation d'une ou plusieurs rainures (200) dans une structure semiconductrice de diode à couches minces (202) sur un substrat (102) de telle sorte que la structure de diode soit divisée en une pluralité de cellules solaires discrètes (206) et de telle sorte que des paires des parois latérales (204) des cellules solaires respectives présentent une polarité de dopage qui est identique à celle de la couche semiconductrice du côté du substrat de la structure de diode. Une couche isolante non continue (300) est formée sur la structure de diode de telle sorte qu'une paroi latérale de chaque paire de parois latérales soit couverte par la couche isolante alors que l'autre paroi latérale de chaque paire et qu'une ou plusieurs zones de contact de surface restent exposées. Une couche conductrice non continue (400) est formée sur la structure de diode de telle sorte que, pour chaque paire de première et seconde cellules solaires adjacentes (206a, 206b), la paroi latérale exposée de la première cellule solaire soit reliée électriquement aux zones de contact de surface de la seconde cellule solaire et reste sans liaison électrique sur les zones de contact de surface de la première cellule solaire.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)