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1. (WO2008016516) PROCÉDÉS PERMETTANT DE RÉDUIRE LES CHARGES SUPERFICIELLES AU COURS DE LA FABRICATION DE MICROSYSTÈMES ÉLECTROMÉCANIQUES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/016516    N° de la demande internationale :    PCT/US2007/016633
Date de publication : 07.02.2008 Date de dépôt international : 23.07.2007
CIB :
B81C 1/00 (2006.01)
Déposants : IDC, LLC [US/US]; 2415 Third Street, San Francisco, California 94107 (US) (Tous Sauf US).
KOTHARI, Manish [US/US]; (US) (US Seulement).
SAMPSELL, Jeffrey B. [US/US]; (US) (US Seulement)
Inventeurs : KOTHARI, Manish; (US).
SAMPSELL, Jeffrey B.; (US)
Mandataire : ABUMERI, Mark M.; Knobbe Martens Olson & Bear Llp, 2040 Main Street, 14th Floor, Irvine, CA 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
11/462,026 02.08.2006 US
Titre (EN) METHODS FOR REDUCING SURFACE CHARGES DURING THE MANUFACTURE OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS DEVICES
(FR) PROCÉDÉS PERMETTANT DE RÉDUIRE LES CHARGES SUPERFICIELLES AU COURS DE LA FABRICATION DE MICROSYSTÈMES ÉLECTROMÉCANIQUES
Abrégé : front page image
(EN)Provided herein are methods for preventing the formation and accumulation of surface-associated charges, and deleterious effects associated therewith, during the manufacture of a MEMS device. In some embodiments, methods provided herein comprise etching a sacrificial material in the presence of an ionized gas, wherein the ionized gas neutralizes charged species produced during the etching process and allows for their removal along with other etching byproducts. Also disclosed are microelectromechanical devices formed by methods of the invention, and visual display devices incorporating such devices.
(FR)La présente invention a trait à des procédés permettant d'empêcher la formation et l'accumulation de charges associées à la surface, et les effets nuisibles associés à celles-ci, au cours de la fabrication de microsystèmes électromécaniques. Selon certains modes de réalisation, les procédés selon la présente invention comprennent la gravure d'un matériau consommable en présence d'un gaz ionisé, lequel gaz ionisé neutralise les espèces chargées produites au cours du processus de gravure et permet leur suppression en même temps que d'autres sous-produits de gravure. La présente invention a également trait à des microsystèmes électromécaniques formés au moyen des procédés de l'invention et à des écrans incorporant de tels systèmes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)