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1. WO2008013547 - CRIBLAGE DE PLAQUETTES DE SILICIUM UTILISÉES EN TECHNIQUE PHOTOVOLTAÏQUE

Numéro de publication WO/2008/013547
Date de publication 31.01.2008
N° de la demande internationale PCT/US2006/029765
Date du dépôt international 28.07.2006
CIB
G01N 19/08 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
NRECHERCHE OU ANALYSE DES MATÉRIAUX PAR DÉTERMINATION DE LEURS PROPRIÉTÉS CHIMIQUES OU PHYSIQUES
19Recherche sur les matériaux par des procédés mécaniques
08Détection de la présence de criques ou d'irrégularités
G01L 1/24 2006.01
GPHYSIQUE
01MÉTROLOGIE; TESTS
LMESURE DES FORCES, DES CONTRAINTES, DES COUPLES, DU TRAVAIL, DE LA PUISSANCE MÉCANIQUE, DU RENDEMENT MÉCANIQUE OU DE LA PRESSION DES FLUIDES
1Mesure des forces ou des contraintes, en général
24en mesurant les variations des propriétés optiques du matériau quand il est soumis à une contrainte, p.ex. par l'analyse des contraintes par photo-élasticité
CPC
G01N 21/9503
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
9501Semiconductor wafers
9503Wafer edge inspection
G01N 21/9505
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
84Systems specially adapted for particular applications
88Investigating the presence of flaws or contamination
95characterised by the material or shape of the object to be examined
9501Semiconductor wafers
9505Wafer internal defects, e.g. microcracks
H01L 31/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
Déposants
  • MIDWEST RESEARCH INSTITUTE [US]/[US] (AllExceptUS)
  • SOPORI, Bhushan, L. [US]/[US] (UsOnly)
  • SHELDON, Peter [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • SOPORI, Bhushan, L.
  • SHELDON, Peter
Mandataires
  • WHITE, Paul, J.
Données relatives à la priorité
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) SCREENING OF SILICON WAFERS USED IN PHOTOVOLTAICS
(FR) CRIBLAGE DE PLAQUETTES DE SILICIUM UTILISÉES EN TECHNIQUE PHOTOVOLTAÏQUE
Abrégé
(EN)
A method for screening silicon-based wafers (104, 106) used in the photovoltaic industry (110) is provided herewith. The wafers (104, 106) are placed on a conveyor belt (102), which carries the wafers through an illumination zone (112), and wherein each wafer receives a beam of light. Wafers having fatal cracks (114) may break as a result of the thermal stress, and so may be eliminated from further processing.
(FR)
L'invention concerne un procédé de criblage de plaquettes à base de silicium utilisées dans l'industrie photovoltaïque.
Également publié en tant que
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international