Traitement en cours

Veuillez attendre...

Paramétrages

Paramétrages

Aller à Demande

1. WO2008013469 - PROCÉDÉ D'APPLICATION À PLASMA D'IONS DE REVÊTEMENTS DE FILM À COMPOSANTS MULTIPLES ET INSTALLATION CORRESPONDANTE

Numéro de publication WO/2008/013469
Date de publication 31.01.2008
N° de la demande internationale PCT/RU2006/000399
Date du dépôt international 26.07.2006
CIB
C23C 14/35 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
34Pulvérisation cathodique
35par application d'un champ magnétique, p.ex. pulvérisation au moyen d'un magnétron
C23C 28/00 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
28Revêtement pour obtenir au moins deux couches superposées, soit par des procédés non prévus dans un seul des groupes principaux C23C2/-C23C26/180
C23C 14/56 2006.01
CCHIMIE; MÉTALLURGIE
23REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT CHIMIQUE DE SURFACE; TRAITEMENT DE DIFFUSION DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL; MOYENS POUR EMPÊCHER LA CORROSION DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES, L'ENTARTRAGE OU LES INCRUSTATIONS, EN GÉNÉRAL
CREVÊTEMENT DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; REVÊTEMENT DE MATÉRIAUX AVEC DES MATÉRIAUX MÉTALLIQUES; TRAITEMENT DE SURFACE DE MATÉRIAUX MÉTALLIQUES PAR DIFFUSION DANS LA SURFACE, PAR CONVERSION CHIMIQUE OU SUBSTITUTION; REVÊTEMENT PAR ÉVAPORATION SOUS VIDE, PAR PULVÉRISATION CATHODIQUE, PAR IMPLANTATION D'IONS OU PAR DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, EN GÉNÉRAL
14Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
22caractérisé par le procédé de revêtement
56Appareillage spécialement adapté au revêtement en continu; Dispositifs pour maintenir le vide, p.ex. fermeture étanche
CPC
C23C 14/165
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
06characterised by the coating material
14Metallic material, boron or silicon
16on metallic substrates or on substrates of boron or silicon
165by cathodic sputtering
C23C 14/352
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
35by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
352using more than one target
C23C 14/354
CCHEMISTRY; METALLURGY
23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
14Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
22characterised by the process of coating
34Sputtering
35by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
354Introduction of auxiliary energy into the plasma
H01J 37/32055
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32055Arc discharge
H01J 37/3233
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
32009Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
32321Discharge generated by other radiation
3233using charged particles
H01J 37/3405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
37Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
32Gas-filled discharge tubes, ; e.g. for surface treatment of objects such as coating, plating, etching, sterilising or bringing about chemical reactions
34operating with cathodic sputtering
3402using supplementary magnetic fields
3405Magnetron sputtering
Déposants
  • СПИВАКОВ Дмитрий Давидович SPIVAKOV, Dmitry Davidovich [RU]/[RU]
  • МИТИН Валерий Семенович MITIN, Valery Semenovich [RU]/[RU]
Inventeurs
  • СПИВАКОВ Дмитрий Давидович SPIVAKOV, Dmitry Davidovich
  • МИТИН Валерий Семенович MITIN, Valery Semenovich
Mandataires
  • ФОРСТМАН Владимир Александрович FORSTMAN, Vladimir Alexandrovich
Données relatives à la priorité
Langue de publication russe (RU)
Langue de dépôt russe (RU)
États désignés
Titre
(EN) METHOD FOR ION-PLASMA APPLICATION OF FILM COATINGS AND A DEVICE FOR CARRYING OUT SAID METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'APPLICATION À PLASMA D'IONS DE REVÊTEMENTS DE FILM À COMPOSANTS MULTIPLES ET INSTALLATION CORRESPONDANTE
(RU) СПОСОБ ИОННО-ПЛАЗМЕННОГО НАНЕСЕНИЯ МНОГОКОМПОНЕНТНЫХ ПЛЕНОЧНЫХ ПОКРЫТИЙ И УСТАНОВКА ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ
Abrégé
(EN)
The invention relates to a method and device for forming coatings by means of ion-plasma magnetron sputtering. The inventive device comprises two cold cathode-ion sources which are placed in front of each other in spaces between two pairs of unbalanced and balanced magnetrons. Said sources are embodied in the form of oppositely oriented internal and external annular magnetic poles. The external pole of each ion source has polarity opposite to the polarity of the external poles of the unbalanced or balanced magnetrons nearest thereto. Two arc metal ion sources, provided with stabilising coils, are disposed in front of each other in two other spaces between two pairs of the unbalanced and balanced magnetrons. The inventive method consists in preparing unbalanced magnetrons provided with homogeneous targets and balanced magnetrons provided with reticulated targets, in activating articles with the aid of the unbalanced and balanced magnetrons, in carrying out additional activation with the aid of an ion source or activation and saturation of a surface layer with metal or gas with the aid of an arc source, in heating the articles, in applying a primary coating with the aid of the unbalanced magnetrons and in applying secondary coatings with the aid of the simultaneously used unbalanced and balanced magnetrons. A main coating layer is applied with the aid of the simultaneously used unbalanced and balanced magnetrons. A layer having a multilayer nanocrystalline structure is applied by means of the simultaneously used unbalanced and balanced magnetrons and arc sources.
(FR)
L'invention porte sur un procédé et un dispositif destinés à la formation de revêtements par pulvérisation à plasma d'ions au moyen de magnétrons. Le dispositif comprend deux sources d'ions à cathode froide, montées face à face dans des intervalles entre deux paires de magnétrons non équilibré et équilibré. Ces sources se présentent comme des pôles magnétiques circulaires interne et externe, orientés dans des directions opposées. Le pôle externe de chaque source d'ions a une polarité opposée à la polarité des pôles externes des magnétrons non équilibré et équilibré les plus proches. Dans les deux autres intervalles entre deux paires de magnétrons non équilibré et équilibré on a placé deux sources d'ions métalliques à arc, dotées de bobines de stabilisation et opposées l'une à l'autre. Selon le procédé de l'invention, on effectue la préparation des magnétrons non équilibrés avec des cibles homogènes, et celle des magnétrons équilibrés avec des cibles en mosaïque. On effectue l'activation des articles au moyen de magnétrons non équilibrés et équilibrés, on effectue une activation supplémentaire au moyen de la source d'ions ou alors l'activation et la saturation de la couche superficielle avec un métal ou un gaz au moyen d'une source à arc. On effectue le réchauffement de l'article. On applique un revêtement primaire avec des magnétrons non équilibrés. On applique des revêtements secondaires en utilisant simultanément des magnétrons non équilibrés et équilibrés. La couche principale du revêtement s'applique par l'utilisation simultanée des magnétrons non équilibrés et équilibrés. La couche à structure multicouche nanocristalline est appliquée par l'utilisation simultanée des magnétrons non équilibrés et équilibrés et des sources à arc.
(RU)
Изобретение относится к способу и установке для формирования покрытий ионно- плазменным магнетронным распылением. В установке в промежутках между двумя парами несбалансированных (НБМ) и сбалансированных (СБМ) магнетронов размещены установленные друг напротив друга два ионных источника с холодным катодом. Эти источники выполнены в виде ориентированных в противоположных направлениях внутреннего и внешнего кольцевых магнитных полюсов. Внешний полюс каждого ионного источника имеет полярность противоположную полярности внешних полюсов ближайших к нему НБМ и СБМ магнетрона. В двух других промежутках между двумя парами НБМ и СБМ магнетронов размещены установленные друг напротив друга два дуговых источника металлических ионов со стабилизирующими катушками. В способе осуществляют подготовку НБМ магнетронов с гомогенными мишенями, а СБМ магнетронов - с мозаичными мишенями. Выполняют активацию изделий с помощью НБМ и СБМ магнетронов, дополнительную активацию с помощью ионного источника, или активацию и насыщение поверхностного слоя металлом или газом с помощью дугового источника. Выполняют нагрев изделия. Наносят первичное покрытие с помощью НБМ магнетронов. Наносят вторые слои покрытия с помощью одновременного использования НБМ и СБМ магнетронов. Основной слой покрытия наносят с помощью одновременного использования НБМ и СБМ магнетронов. Слой с многослойной нанокристаллической структурой наносят с помощью одновременного использования НБМ и СБМ магнетронов, а также дуговых источников.
Également publié en tant que
RU2007123690
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international