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1. WO2008011281 - PHOTODIODE À AVALANCHE PLANAIRE INVERSÉE

Numéro de publication WO/2008/011281
Date de publication 24.01.2008
N° de la demande internationale PCT/US2007/072879
Date du dépôt international 05.07.2007
CIB
H01L 31/107 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
08dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
10caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
101Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
102caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface
107la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
CPC
H01L 31/035281
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0352characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
035272characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
035281Shape of the body
H01L 31/107
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102characterised by only one potential barrier or surface barrier
107the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiode
H01L 31/1075
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102characterised by only one potential barrier or surface barrier
107the potential barrier working in avalanche mode, e.g. avalanche photodiode
1075in which the active layers, e.g. absorption or multiplication layers, form an heterostructure, e.g. SAM structure
Déposants
  • INTEL CORPORATION [US]/[US] (AllExceptUS)
  • PAUCHARD, Alexandre [CH]/[CH] (UsOnly)
  • MORSE, Michael [US]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • PAUCHARD, Alexandre
  • MORSE, Michael
Mandataires
  • VINCENT, Lester J.
Données relatives à la priorité
11/488,31117.07.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INVERTED PLANAR AVALANCHE PHOTODIODE
(FR) PHOTODIODE À AVALANCHE PLANAIRE INVERSÉE
Abrégé
(EN)
An avalanche photodetector is disclosed. An apparatus according to aspects of the present invention includes a semiconductor substrate layer including a first type of semiconductor material. The apparatus also includes a multiplication layer including the first type of semiconductor material disposed proximate to the semiconductor substrate layer. The apparatus also includes an absorption layer having a second type of semiconductor material disposed proximate to the multiplication layer such that the multiplication layer is disposed between the absorption layer and the semiconductor substrate layer. The absorption layer is optically coupled to receive and absorb an optical beam. The apparatus also includes an n+ doped region of the first type of semiconductor material defined at a surface of the multiplication layer opposite the absorption layer. A high electric field is generated in the multiplication layer to multiply charge carriers photo-generated in response to the absorption of the optical beam received in the absorption layer.
(FR)
La présente invention concerne un photodétecteur à avalanche. Un appareil selon des aspects de la présente invention comprend une couche de substrat semi-conducteur comprenant un premier type de matériau semi-conducteur. L'appareil comprend également une couche de multiplication comprenant le premier type de matériau semi-conducteur disposé à proximité de la couche de substrat semi-conducteur. L'appareil comprend également une couche d'absorption comportant un second type de matériau semi-conducteur disposé à proximité de la couche de multiplication de telle sorte que la couche de multiplication est disposée entre la couche d'absorption et le couche de substrat semi-conducteur. La couche d'absorption est couplée optiquement pour recevoir et absorber un faisceau optique. L'appareil comprend également une zone dopée n+ du premier type de matériau semi-conducteur définie à la surface de la couche de multiplication opposée à la couche d'absorption. Un fort champ électrique est généré dans la couche de multiplication pour multiplier les porteurs de charge photo-générés en réponse à l'absorption du faisceau optique reçu dans la couche d'absorption.
Également publié en tant que
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