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1. WO2008010931 - DÉTECTEUR ET ÉLÉMENTS DE CIRCUIT INTÉGRÉS ET PROCÉDÉ POUR CEUX-CI

Numéro de publication WO/2008/010931
Date de publication 24.01.2008
N° de la demande internationale PCT/US2007/015734
Date du dépôt international 10.07.2007
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 15.01.2008
CIB
B81C 1/00 2006.01
BTECHNIQUES INDUSTRIELLES; TRANSPORTS
81TECHNOLOGIE DES MICROSTRUCTURES
CPROCÉDÉS OU APPAREILS SPÉCIALEMENT ADAPTÉS À LA FABRICATION OU AU TRAITEMENT DE DISPOSITIFS OU DE SYSTÈMES À MICROSTRUCTURE
1Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
CPC
B81B 2201/0235
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
2201Specific applications of microelectromechanical systems
02Sensors
0228Inertial sensors
0235Accelerometers
B81C 1/00253
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
1Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
00015for manufacturing microsystems
00222Integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure
00253Processes for integrating an electronic processing unit with a micromechanical structure not provided for in B81C1/0023 - B81C1/00246
B81C 2201/019
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
2201Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
01in or on a substrate
0174for making multi-layered devices, film deposition or growing
019Bonding or gluing multiple substrate layers
G01C 19/5719
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
19Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
5719using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
G01P 1/023
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
1Details of instruments
02Housings
023for acceleration measuring devices
G01P 15/0802
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
15Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
02by making use of inertia forces ; using solid seismic masses
08with conversion into electric or magnetic values
0802Details
Déposants
  • EVIGIA SYSTEMS, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • YAZDI, Navid [IR]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • YAZDI, Navid
Mandataires
  • HARTMAN, Gary, M.
Données relatives à la priorité
11/458,72920.07.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) INTEGRATED SENSOR AND CIRCUITRY AND PROCESS THEREFOR
(FR) DÉTECTEUR ET ÉLÉMENTS DE CIRCUIT INTÉGRÉS ET PROCÉDÉ POUR CEUX-CI
Abrégé
(EN)
A micromachined sensor and a process for fabrication and vertical integration of a sensor and circuitry at wafer-level. The process entails processing a first wafer to incompletely define a sensing structure in a first surface thereof, processing a second wafer to define circuitry on a surface thereof, bonding the first and second wafers together, and then etching the first wafer to complete the sensing structure, including the release of a member relative to the second wafer. The first wafer is preferably a silicon-on-insulator (SOI) wafer, and the sensing structure preferably includes a member containing conductive and insulator layers of the SOI wafer. Sets of capacitively coupled elements are preferably formed from a first of the conductive layers to define a symmetric capacitive full-bridge structure.
(FR)
L'invention se rapporte à un détecteur micro-usiné et à un procédé pour la fabrication et l'intégration verticale d'un détecteur et d'éléments de circuit au niveau tranche. Le procédé comporte le traitement d'une première tranche pour définir de manière incomplète une structure de détection dans une première surface de celle-ci, le traitement d'une seconde tranche pour définir des éléments de circuit sur une surface de celle-ci, la liaison des première et seconde tranches ensemble, et ensuite l'attaque chimique de la première tranche pour terminer la structure de détection, comprenant la libération d'un élément par rapport à la seconde tranche. La première tranche est de préférence une tranche silicium sur isolant (SOI) et la structure de détection comprend de préférence un élément contenant des couches conductrices et isolantes de la tranche SOI. Des ensembles d'éléments couplés de manière capacitive sont de préférence formés à partir d'une première des couches conductrices pour définir une structure capacitive symétrique en pont complet.
Également publié en tant que
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