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1. WO2008010161 - DIODE ORGANIQUE EMPILÉE À ACTIVITÉ ÉLECTRO-OPTIQUE COMPORTANT UNE COUCHE DE CONNEXION EN SEMI-CONDUCTEUR INORGANIQUE

Numéro de publication WO/2008/010161
Date de publication 24.01.2008
N° de la demande internationale PCT/IB2007/052785
Date du dépôt international 12.07.2007
CIB
H01L 51/52 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
51Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
50spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
52Détails des dispositifs
CPC
H01L 51/5278
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
52Details of devices
5262Arrangements for extracting light from the device
5278comprising a repetitive electroluminescent unit between one set of electrodes
Déposants
  • KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V. [NL]/[NL] (AllExceptUS)
  • BUECHEL, Michael [DE]/[NL] (UsOnly)
Inventeurs
  • BUECHEL, Michael
Mandataires
  • ROLFES, Johannes, G., A.
Données relatives à la priorité
06117442.119.07.2006EP
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) STACKED ELECTRO-OPTICALLY ACTIVE ORGANIC DIODE WITH INORGANIC SEMICONDUCTOR CONNECTION LAYER
(FR) DIODE ORGANIQUE EMPILÉE À ACTIVITÉ ÉLECTRO-OPTIQUE COMPORTANT UNE COUCHE DE CONNEXION EN SEMI-CONDUCTEUR INORGANIQUE
Abrégé
(EN)
A stacked electro-optically active organic diode has an anode electrode (102), a cathode electrode (162), a first electro-optically active organic layer (110) arranged between the electrodes (102, 162), and a second electro-optically active organic layer (130) arranged between said first active organic layer (110) and said cathode (162). A low electron affinity layer (120) is arranged between the first electro-optically active organic layer (110) and the second electro-optically active organic layer (130), and is formed of a first transparent inorganic semiconductor material. A high electron affinity layer (121) is arranged between said second electro-optically active organic layer (130) and the low electron affinity layer (120), and is formed of a second transparent inorganic semiconductor material, wherein said second transparent inorganic semiconductor material has a higher electron affinity than said first inorganic semiconductor material. The low and high affinity layers (120, 121) constitute a connection layer of only two semiconductor (sub-)layers which allow for transparent, thick layers, and as a result the diode can be both efficient and reliable.
(FR)
La diode organique empilée à activité électro-optique de l'invention comprend une électrode (102) formant anode, une électrode (162) formant cathode, une première couche (110) organique à activité électro-optique disposée entre lesdites électrodes (102, 162) et une seconde couche (130) organique à activité électro-optique disposée entre ladite première couche (110) et la cathode (162). Une couche (120) à affinité électronique réduite est disposée entre la première couche organique (110) à activité électro-optique et la seconde couche organique (130) à activité électro-optique, ladite couche (120) étant constituée d'un premier matériau semi-conducteur inorganique transparent. Une couche (121) à affinité électronique élevée est disposée entre ladite seconde couche organique (130) à activité électro-optique et ladite couche (120) à affinité électronique réduite, ladite couche (121) étant constituée d'un second matériau semi-conducteur inorganique transparent, ledit second matériau possédant une affinité électronique plus élevée que celle dudit premier matériau. Ces deux couches (120, 121) à affinité électronique respectivement réduite et élevée constituent une couche de connexion formée de seulement deux sous-couches semi-conductrices pouvant être épaisses et transparentes, ce qui permet à la diode ainsi formée d'allier efficacité et fiabilité.
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