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1. WO2008008723 - MATÉRIAUX PHOTOACTIFS CONTENANT DES STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES DE GROUPE IV MASSIVES ET À CONFINEMENT QUANTIQUE ET DISPOSITIFS OPTO-ÉLECTRONIQUES RÉALISÉS À PARTIR DESDITS MATÉRIAUX

Numéro de publication WO/2008/008723
Date de publication 17.01.2008
N° de la demande internationale PCT/US2007/073037
Date du dépôt international 09.07.2007
CIB
H01L 31/0352 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0352caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/028 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
31Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
0248caractérisés par leurs corps semi-conducteurs
0256caractérisés par les matériaux
0264Matériaux inorganiques
028comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
CPC
H01L 31/028
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0256characterised by the material
0264Inorganic materials
028including, apart from doping material or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
H01L 31/0352
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0352characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
Y02E 10/547
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
547Monocrystalline silicon PV cells
Déposants
  • INNOVALIGHT, INC. [US]/[US] (AllExceptUS)
  • POPLAVSKYY, Dmytro [UA]/[US] (UsOnly)
  • SINHA, Sanjai [US]/[US] (UsOnly)
  • JURBERGS, David [US]/[US] (UsOnly)
  • ANTONIADIS, Homer [GR]/[US] (UsOnly)
Inventeurs
  • POPLAVSKYY, Dmytro
  • SINHA, Sanjai
  • JURBERGS, David
  • ANTONIADIS, Homer
Mandataires
  • MANNING, Michelle
Données relatives à la priorité
60/819,67810.07.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) PHOTOACTIVE MATERIALS CONTAINING BULK AND QUANTUM-CONFINED GROUP IV SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND OPTOELECTRONIC DEVICES MADE THEREFROM
(FR) MATÉRIAUX PHOTOACTIFS CONTENANT DES STRUCTURES SEMI-CONDUCTRICES DE GROUPE IV MASSIVES ET À CONFINEMENT QUANTIQUE ET DISPOSITIFS OPTO-ÉLECTRONIQUES RÉALISÉS À PARTIR DESDITS MATÉRIAUX
Abrégé
(EN)
The present invention provides photoactive materials that include quantum-confined semiconductor nanostructures in combination with non-quantum confined and bulk semiconductor structures to enhance or create a type II band offset structure. The photoactive materials are well-suited for use as the photoactive layer in photoactive devices, including photovoltaic devices, photoconductors and photodetectors.
(FR)
Cette invention concerne des matériaux photoactifs comprenant des nanostructures à confinement quantique en combinaison avec des structures semi-conductrices à non confinement quantique massives, permettant d'améliorer ou de créer une structure à décalage de bande de type II. Ces matériaux photoactifs conviennent comme couche photoactive dans des dispositifs photoactifs, dont des dispositifs photovoltaïques, des photoconducteurs et des photodétecteurs.
Également publié en tant que
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