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1. WO2008008516 - PROCÉDÉ D'AMÉLIORATION DE PARTICULES À DIFFUSION VERS L'AVANT ET DISPOSITIF PHOTODÉTECTEUR

Numéro de publication WO/2008/008516
Date de publication 17.01.2008
N° de la demande internationale PCT/US2007/016036
Date du dépôt international 13.07.2007
CIB
H01L 21/06 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
21Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
02Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
04les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
06les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant du sélénium ou du tellure, sous forme non combinée, et ne constituant pas des impuretés pour les corps semi-conducteurs d'autres matériaux
H01L 29/08 2006.01
HÉLECTRICITÉ
01ÉLÉMENTS ÉLECTRIQUES FONDAMENTAUX
LDISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS; DISPOSITIFS ÉLECTRIQUES À L'ÉTAT SOLIDE NON PRÉVUS AILLEURS
29Dispositifs à semi-conducteurs spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. jonction PN, région d'appauvrissement, ou région de concentration de porteurs de charges; Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
02Corps semi-conducteurs
06caractérisés par leur forme; caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
08avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
CPC
H01L 31/02168
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0216Coatings
02161for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
02167for solar cells
02168the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
Déposants
  • THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US]/[US] (AllExceptUS)
  • YU, Edward T. [US]/[US] (UsOnly)
  • DERKACS, Daniel (UsOnly)
Inventeurs
  • YU, Edward T.
  • DERKACS, Daniel
Mandataires
  • FALLON, Steven P.
Données relatives à la priorité
60/830,90214.07.2006US
Langue de publication anglais (EN)
Langue de dépôt anglais (EN)
États désignés
Titre
(EN) FORWARD SCATTERING NANOPARTICLE ENHANCEMENT METHOD AND PHOTO DETECTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ D'AMÉLIORATION DE PARTICULES À DIFFUSION VERS L'AVANT ET DISPOSITIF PHOTODÉTECTEUR
Abrégé
(EN)
In devices of the invention, forward scattering nanoparticles (18) are sized and arranged with respect to a photo conversion material (14, 16, 17) to forward scatter radiation that would otherwise be reflected away from the photo conversion material. In preferred embodiment devices, a highest percentage of the nanoparticles are sized such that their predominant characteristic is scattering as opposed to absorption. The nanoparticles forward scatter radiation into the photo conversion material that would otherwise be reflected. In preferred embodiments, the nanoparticles are metal nanoparticles, such as gold, silver, copper, or aluminum nanoparticles, and in other embodiments the nanoparticles are dielectric nanoparticles, e.g., silica, sized to predominately forward scatter radiation.
(FR)
Dans des dispositifs selon l'invention, des nanoparticules à diffusion vers l'avant (18) sont dimensionnées et disposées par rapport à un matériau de conversion photoélectrique (14, 16, 17) pour diffuser un rayonnement vers l'avant, lequel aurait sinon été réfléchi par le matériau de conversion photoélectrique. Dans des dispositifs préférés, un pourcentage maximal de nanoparticules sont dimensionnées, de sorte que leur caractéristique prédominante soit la diffusion par opposition à l'absorption. Les nanoparticules diffusent un rayonnement vers l'avant à l'intérieur du matériau de conversion photoélectrique, lequel rayonnement aurait sinon été réfléchi. Selon des modes de réalisation préférés, les nanoparticules sont des nanoparticules métalliques, telles que des nanoparticules d'or, d'argent, de cuivre ou d'aluminium, et, selon d'autres modes de réalisation, lesdites nanoparticules sont des nanoparticules diélectriques, p. ex. des nanoparticules de silice, dimensionnées de sorte que la diffusion d'un rayonnement vers l'avant soit prédominante.
Également publié en tant que
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