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1. (WO2008007326) TRANSPONDEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSPONDEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2008/007326    N° de la demande internationale :    PCT/IB2007/052688
Date de publication : 17.01.2008 Date de dépôt international : 09.07.2007
CIB :
H01L 21/56 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), G06K 19/077 (2006.01)
Déposants : NXP B.V. [--/NL]; High Tech Campus 60, NL-EINDHOVEN 5656 Ag (NL) (Tous Sauf US).
ROGY, Reinhard [AT/AT]; (AT) (US Seulement).
ZENZ, Christian [AT/AT]; (AT) (US Seulement)
Inventeurs : ROGY, Reinhard; (AT).
ZENZ, Christian; (AT)
Mandataire : RÖGGLA, Harald; NXP Semiconductors Austria GmbH, Intellectual Property Department, Gutheil-Schoder-Gasse 8-12, A-1102 Vienna (AT)
Données relatives à la priorité :
06116893.6 10.07.2006 EP
Titre (EN) TRANSPONDER AND METHOD OF PRODUCING A TRANSPONDER
(FR) TRANSPONDEUR ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN TRANSPONDEUR
Abrégé : front page image
(EN)In a method of producing a transponder (1) an integrated circuit (2, 72, 82) is produced. The integrated circuit (2, 72, 82) is produced by applying a photoresist layer (11) on a surface (8) of a semiconductor device (4), generating a patterned mask (14) by lithographically patterning the photoresist layer (11) so that the photoresist layer (11) comprises at least one aperture (12, 13), and filling the aperture (12, 13) with a bump (15, 16, 75, 76) by depositing the bump (15, 16, 75, 76) on the surface (8) utilizing the patterned mask (14). Finally, the integrated circuit (2, 72, 82), with the patterned mask (14), is attached to a substrate (3), which comprises an antenna structure (18). The bump (15, 16, 75, 76) is connected electrically to the antenna structure (18).
(FR)La présente invention concerne un procédé permettant de produire un transpondeur (1), qui consiste à fabriquer un circuit intégré (2, 72, 82). La production du circuit intégré (2, 72, 82) consiste : à appliquer une couche de photorésine (11) sur une surface (8) d'un dispositif semi-conducteur (4); à générer un masque à motifs (14) en formant par lithographie des motifs sur la couche de photorésine (11), de façon que cette dernière soit dotée d'au moins une ouverture (12, 13); et à remplir ladite ouverture (12, 13) avec une bosse (15, 16, 75, 76), en déposant ladite bosse (15, 16, 75, 76) sur la surface (8) à l'aide du masque à motifs (14). Enfin, le procédé selon l'invention consiste à fixer le circuit intégré (2, 72, 82) doté du masque à motifs (14) sur un substrat (3) possédant une structure d'antenne (18), et à relier électriquement la bosse (15, 16, 75, 76) à la structure d'antenne (18).
États désignés : AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)